| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 电子突触器件研究的意义 | 第9-16页 |
| 1.2 硫系化合物电子突触器件 | 第16-17页 |
| 1.3 本文的选题与具体工作 | 第17-18页 |
| 2 电子突触器件的基本原理 | 第18-23页 |
| 2.1 硫系化合物电阻调节物理机理 | 第18-21页 |
| 2.2 硫系化合物电子突触器件工作原理 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 3 测试方法设计及测试平台构建 | 第23-28页 |
| 3.1 电子突触测试方法设计 | 第23-25页 |
| 3.2 电子突触测试平台构建 | 第25-26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 4 基于部分相变的电子突触器件测试方法 | 第28-34页 |
| 4.1 直流与脉冲 IV 模式下 Ge_2Sb_2Te_5部分相变测试 | 第28-32页 |
| 4.2 基于 Ge_2Sb_2Te_5部分相变的突触功能实现 | 第32-33页 |
| 4.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 5 基于忆阻特性的电子突触器件测试方法 | 第34-47页 |
| 5.1 基于 Ge_2Sb_2Te_5忆阻特性的电子突触器件测试方法 | 第34-42页 |
| 5.2 基于 AIST 忆阻特性的电子突触器件测试方法 | 第42-46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 6 总结与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 总结 | 第47-48页 |
| 6.2 展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第54-55页 |
| 附录2 攻读学位期间发表专利目录 | 第55页 |
