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基于CVD法制备单层石墨烯工艺参数的优化

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-21页
    1.1 课题背景第10页
    1.2 石墨烯的结构与特点第10-14页
        1.2.1 石墨烯的结构第10-11页
        1.2.2 石墨烯的性质第11-14页
    1.3 石墨烯制备方法及应用第14-20页
        1.3.1 石墨烯的制备方法第14-20页
    1.4 课题研究意义和主要研究内容第20-21页
第2章 实验及表征方法第21-30页
    2.1 实验材料及设备第21-22页
        2.1.1 实验材料第21页
        2.1.2 实验设备第21-22页
    2.2 实验流程第22-23页
    2.3 CVD法制备石墨烯原理第23-26页
    2.4 石墨烯的表征第26-30页
第3章 铜箔衬底预处理第30-36页
    3.1 引言第30-31页
    3.2 铜箔衬底退火前预处理第31-32页
    3.3 铜箔衬底的退火处理第32-35页
    3.4 本章小结第35-36页
第4章 石墨烯的制备与参数优化第36-46页
    4.1 引言第36页
    4.2 生长参数对石墨烯质量的影响第36-43页
        4.2.1 生长温度第36-38页
        4.2.2 碳源浓度第38-40页
        4.2.3 反应时间第40-43页
    4.3 石墨烯的转移第43-45页
    4.4 本章小结第45-46页
第5章 石墨烯薄膜光电性能研究第46-52页
    5.1 引言第46页
    5.2 石墨烯薄膜透光性表征第46-47页
    5.3 石墨烯薄膜导电性表征第47-49页
    5.4 石墨烯图案化探索第49-51页
    5.5 本章小结第51-52页
结论第52-53页
参考文献第53-57页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第57-58页
致谢第58页

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