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基于ITO纳米晶的透明导电薄膜

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第10-34页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 透明导电氧化物薄膜的发展历程第11页
    1.3 锡掺杂氧化铟的基本性质第11-13页
    1.4 透明导电薄膜的常用制备方法第13-15页
        1.4.1 磁控溅射第13页
        1.4.2 脉冲激光沉积第13-14页
        1.4.3 化学气相沉积第14-15页
        1.4.4 溶液法第15页
    1.5 溶液法制备ITO的研究进展第15-26页
        1.5.1 前驱体法制备ITO第16-19页
        1.5.2 纳米晶法制备ITO薄膜第19-24页
        1.5.3 前驱体和纳米晶混合法第24-26页
    1.6 透明导电薄膜的应用:柔性电容式压力传感器第26-34页
        1.6.1 电介质研究第28-29页
        1.6.2 电极材料研究第29-34页
第二章 实验原理方法及表征手段第34-42页
    2.1 实验试剂及设备第34-36页
        2.1.1 实验试剂第34-35页
        2.1.2 实验装置及设备第35-36页
        2.1.3 分析测试设备第36页
    2.2 实验过程第36-39页
        2.2.1 ITO纳米晶的合成第36-37页
        2.2.2 Cu/Ni合金纳米晶的制备第37页
        2.2.3 ITO薄膜的制备过程第37-39页
        2.2.4 纳米晶ITO/PEN电极和压力传感器件的制备第39页
    2.3 测试设备及原理第39-42页
        2.3.1 傅立叶转换红外光谱分析仪(FTIR)第39-40页
        2.3.2 紫外-可见-近红外分光光度仪(UV-Vis-NIR)第40页
        2.3.3 X射线衍射仪(XRD)第40-41页
        2.3.4 霍尔效应测试仪第41-42页
第三章 ITO纳米晶合成及薄膜制备第42-52页
    3.1 ITO纳米晶的可控合成第42-43页
    3.2 ITO纳米晶及薄膜表征和讨论第43-48页
        3.2.1 TEM和XRD表征第43-45页
        3.2.2 溶液的紫外可见近红外光吸收表征第45-46页
        3.2.3 ITO纳米晶薄膜旋涂成膜后的SEM表征第46-47页
        3.2.4 ITO纳米晶薄膜的AFM表征第47-48页
        3.2.5 薄膜的UV-vis表征第48页
    3.3 ITO纳米晶薄膜的热处理研究第48-50页
    3.4 本章小节第50-52页
第四章 纳米晶薄膜的氧等离子体处理研究第52-62页
    4.1 ITO纳米晶薄膜的氧等离子处理第52-58页
        4.1.1 氧等离子体对配体的作用第53-54页
        4.1.2 氧等离子体处理对电阻的影响第54-58页
    4.2 Cu/Ni合金纳米晶薄膜的氧等离子体处理第58-61页
        4.2.1 经过氧等离子体处理的Cu/Ni纳米晶薄膜的XRD第58页
        4.2.2 经过氧等离子体处理的Cu/Ni合金纳米晶薄膜的XPS第58-59页
        4.2.3 Cu/Ni合金纳米晶薄膜的电阻第59-61页
    4.3 本章小结第61-62页
第五章 基于纳米晶ITO/PEN薄膜的柔性压力传感器件的制备和性能测试第62-68页
    5.1 柔性电容式压力传感器件的制备第62-63页
        5.1.1 ITO花形纳米晶的制备第62页
        5.1.2 旋涂成膜第62页
        5.1.3 器件的制备和测试第62-63页
    5.2 柔性电容式压力传感器件的性能研究第63-67页
        5.2.1 器件的柔性和透明性第63页
        5.2.2 器件的灵敏度第63-65页
        5.2.3 器件的稳定性第65-66页
        5.2.4 器件的压力分辨显示能力第66-67页
    5.3 本章小结第67-68页
第六章 结论和展望第68-70页
参考文献第70-78页
致谢第78-80页
个人简历第80-82页
攻读学位期间发表的论文与取得的其它研究成果第82页

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