摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第10-34页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 透明导电氧化物薄膜的发展历程 | 第11页 |
1.3 锡掺杂氧化铟的基本性质 | 第11-13页 |
1.4 透明导电薄膜的常用制备方法 | 第13-15页 |
1.4.1 磁控溅射 | 第13页 |
1.4.2 脉冲激光沉积 | 第13-14页 |
1.4.3 化学气相沉积 | 第14-15页 |
1.4.4 溶液法 | 第15页 |
1.5 溶液法制备ITO的研究进展 | 第15-26页 |
1.5.1 前驱体法制备ITO | 第16-19页 |
1.5.2 纳米晶法制备ITO薄膜 | 第19-24页 |
1.5.3 前驱体和纳米晶混合法 | 第24-26页 |
1.6 透明导电薄膜的应用:柔性电容式压力传感器 | 第26-34页 |
1.6.1 电介质研究 | 第28-29页 |
1.6.2 电极材料研究 | 第29-34页 |
第二章 实验原理方法及表征手段 | 第34-42页 |
2.1 实验试剂及设备 | 第34-36页 |
2.1.1 实验试剂 | 第34-35页 |
2.1.2 实验装置及设备 | 第35-36页 |
2.1.3 分析测试设备 | 第36页 |
2.2 实验过程 | 第36-39页 |
2.2.1 ITO纳米晶的合成 | 第36-37页 |
2.2.2 Cu/Ni合金纳米晶的制备 | 第37页 |
2.2.3 ITO薄膜的制备过程 | 第37-39页 |
2.2.4 纳米晶ITO/PEN电极和压力传感器件的制备 | 第39页 |
2.3 测试设备及原理 | 第39-42页 |
2.3.1 傅立叶转换红外光谱分析仪(FTIR) | 第39-40页 |
2.3.2 紫外-可见-近红外分光光度仪(UV-Vis-NIR) | 第40页 |
2.3.3 X射线衍射仪(XRD) | 第40-41页 |
2.3.4 霍尔效应测试仪 | 第41-42页 |
第三章 ITO纳米晶合成及薄膜制备 | 第42-52页 |
3.1 ITO纳米晶的可控合成 | 第42-43页 |
3.2 ITO纳米晶及薄膜表征和讨论 | 第43-48页 |
3.2.1 TEM和XRD表征 | 第43-45页 |
3.2.2 溶液的紫外可见近红外光吸收表征 | 第45-46页 |
3.2.3 ITO纳米晶薄膜旋涂成膜后的SEM表征 | 第46-47页 |
3.2.4 ITO纳米晶薄膜的AFM表征 | 第47-48页 |
3.2.5 薄膜的UV-vis表征 | 第48页 |
3.3 ITO纳米晶薄膜的热处理研究 | 第48-50页 |
3.4 本章小节 | 第50-52页 |
第四章 纳米晶薄膜的氧等离子体处理研究 | 第52-62页 |
4.1 ITO纳米晶薄膜的氧等离子处理 | 第52-58页 |
4.1.1 氧等离子体对配体的作用 | 第53-54页 |
4.1.2 氧等离子体处理对电阻的影响 | 第54-58页 |
4.2 Cu/Ni合金纳米晶薄膜的氧等离子体处理 | 第58-61页 |
4.2.1 经过氧等离子体处理的Cu/Ni纳米晶薄膜的XRD | 第58页 |
4.2.2 经过氧等离子体处理的Cu/Ni合金纳米晶薄膜的XPS | 第58-59页 |
4.2.3 Cu/Ni合金纳米晶薄膜的电阻 | 第59-61页 |
4.3 本章小结 | 第61-62页 |
第五章 基于纳米晶ITO/PEN薄膜的柔性压力传感器件的制备和性能测试 | 第62-68页 |
5.1 柔性电容式压力传感器件的制备 | 第62-63页 |
5.1.1 ITO花形纳米晶的制备 | 第62页 |
5.1.2 旋涂成膜 | 第62页 |
5.1.3 器件的制备和测试 | 第62-63页 |
5.2 柔性电容式压力传感器件的性能研究 | 第63-67页 |
5.2.1 器件的柔性和透明性 | 第63页 |
5.2.2 器件的灵敏度 | 第63-65页 |
5.2.3 器件的稳定性 | 第65-66页 |
5.2.4 器件的压力分辨显示能力 | 第66-67页 |
5.3 本章小结 | 第67-68页 |
第六章 结论和展望 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-78页 |
致谢 | 第78-80页 |
个人简历 | 第80-82页 |
攻读学位期间发表的论文与取得的其它研究成果 | 第82页 |