| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-18页 |
| 第一篇 ZnO基半导体p型和稀磁掺杂研究 | 第18-126页 |
| 第二章 文献综述 | 第20-38页 |
| ·研究背景 | 第20-21页 |
| ·ZnO基本性质 | 第21-23页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第23页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第23页 |
| ·磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第24页 |
| ·分子束外延 | 第24页 |
| ·国内外p型ZnO研究现状 | 第24-29页 |
| ·Ⅴ族元素掺杂p型ZnO | 第25-26页 |
| ·Ⅰ族元素掺杂p型ZnO | 第26-27页 |
| ·其他类型p型ZnO | 第27-28页 |
| ·p型Zn_(1-x)Mg_xO | 第28-29页 |
| ·ZnO基稀磁半导体 | 第29-33页 |
| ·Co、Mn、Cu等掺杂ZnO基DMS研究现状 | 第29-31页 |
| ·ZnO稀磁半导体磁性机理 | 第31-33页 |
| ·ZnO的应用 | 第33-35页 |
| ·立题依据和研究内容 | 第35-38页 |
| 第三章 脉冲激光沉积原理和实验过程 | 第38-44页 |
| ·脉冲激光沉积介绍 | 第38-39页 |
| ·脉冲激光沉积实验设备 | 第39-41页 |
| ·脉冲激光沉积工艺 | 第41-42页 |
| ·靶材的制备 | 第41页 |
| ·衬底的清洗 | 第41-42页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第42页 |
| ·脉冲激光沉积薄膜性能评价 | 第42-44页 |
| 第四章 Na、K掺杂p型Zn_(1_x)Mg_xO薄膜制备及性能研究 | 第44-72页 |
| ·薄膜与器件的制备及检测方法 | 第44-45页 |
| ·薄膜制备方法 | 第44页 |
| ·器件制备方法 | 第44-45页 |
| ·检验方法 | 第45页 |
| ·衬底温度对Na掺杂Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第45-50页 |
| ·衬底温度对薄膜结晶质量的影响 | 第45-46页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第47-49页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第49-50页 |
| ·Mg含量对Na掺杂p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第50-58页 |
| ·Mg含量对薄膜结晶质量的影响 | 第50-52页 |
| ·Mg含量对薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·Mg含量对薄膜光学性能的影响 | 第53-56页 |
| ·Na掺杂Zn_(0.89)Mg_(0.11)O薄膜成分分析 | 第56页 |
| ·Na掺杂Zn_(0.89)Mg_(0.11)O薄膜微结构分析 | 第56-57页 |
| ·Na掺杂Zn_(0.89)Mg_(0.11)O基p-n结器件的制备 | 第57-58页 |
| ·Na掺杂Zn_(1-x)Mg_xO基LED原型器件的制备 | 第58-62页 |
| ·LED原型器件整流特性 | 第58-59页 |
| ·室温电致发光 | 第59-62页 |
| ·Mg含量对K掺杂Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第62-70页 |
| ·Mg含量对薄膜结晶质量的影响 | 第62-63页 |
| ·Mg含量对薄膜表面形貌的影响 | 第63-64页 |
| ·Mg含量对薄膜光学性能影响 | 第64-65页 |
| ·Mg含量与氧压对薄膜电学性能影响 | 第65-67页 |
| ·Zn_(0.85)Mg_(0.15)O:K薄膜的微观结构 | 第67-68页 |
| ·Zn_(0.95)Mg_(0.05)O:K薄膜成分分析 | 第68-69页 |
| ·p-Zn_(0.95)Mg_(0.05)O:K/n-ZnO:Ga异质结研究 | 第69-70页 |
| ·本章总结 | 第70-72页 |
| 第五章 ZnO基稀磁半导体薄膜制备及性能研究 | 第72-126页 |
| ·Mn掺杂ZnO基稀磁半导体研究 | 第72-85页 |
| ·Mn-P共掺杂ZnO基稀磁半导体研究 | 第72-79页 |
| ·Mn与IA族元素共掺杂ZnO基稀磁半导体研究 | 第79-85页 |
| ·Co掺杂ZnO基稀磁半导体研究 | 第85-103页 |
| ·Na和Ga掺杂对ZnCoO薄膜的影响 | 第85-94页 |
| ·Li掺杂对ZnCoO薄膜的影响 | 第94-103页 |
| ·Cu掺杂ZnO基稀磁半导体研究 | 第103-115页 |
| ·Cu、Cu-Ga、Cu-Na共同掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜的性能研究 | 第103-111页 |
| ·Cu-Li共同掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜的性能研究 | 第111-115页 |
| ·Mn-Na共掺非极性ZnO薄膜的制备 | 第115-123页 |
| ·实验方法 | 第116-117页 |
| ·结果与讨论 | 第117-123页 |
| ·结论 | 第123页 |
| ·本章总结 | 第123-126页 |
| 第二篇 纳米锂离子电池原位透射电镜分析 | 第126-178页 |
| 第六章 锂离子电池介绍 | 第128-136页 |
| ·引言 | 第128-129页 |
| ·锂离子电池的工作原理 | 第129页 |
| ·锂离子电池的研究现状 | 第129-135页 |
| ·正极材料 | 第129-133页 |
| ·电解质 | 第133页 |
| ·负极材料 | 第133-135页 |
| ·选题依据和研究内容 | 第135-136页 |
| 第七章 原位透射电镜研究纳米锂离子电池 | 第136-174页 |
| ·原位电镜研究SnO_2纳米线锂离子电池 | 第136-143页 |
| ·背景 | 第136页 |
| ·实验方法 | 第136-137页 |
| ·结果与讨论 | 第137-143页 |
| ·包覆结构SnO_2纳米线在充放电过程中结构和相的变化 | 第143-154页 |
| ·背景 | 第143页 |
| ·实验方法 | 第143-144页 |
| ·结果与讨论 | 第144-154页 |
| ·SnO_2纳米线在充放电的过程中金属Sn枝晶的产生 | 第154-163页 |
| ·背景 | 第154-155页 |
| ·实验方法 | 第155页 |
| ·结果与讨论 | 第155-163页 |
| ·Si基纳米锂离子电池原位电镜研究 | 第163-173页 |
| ·引言 | 第163-164页 |
| ·结果与讨论 | 第164-173页 |
| ·本章小结 | 第173-174页 |
| 第八章 总结 | 第174-178页 |
| 参考文献 | 第178-204页 |
| 致谢 | 第204-206页 |
| 个人简历 | 第206-208页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第208-211页 |
