CFETR钨壁条件下芯部钨杂质浓度的初步研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 托卡马克和边界等离子体 | 第8-15页 |
| 1.1.1 托卡马克简介 | 第8-10页 |
| 1.1.2 刮削层和偏滤器 | 第10-11页 |
| 1.1.3 偏滤器运行模式 | 第11-15页 |
| 1.2 面向等离子体材料 | 第15-18页 |
| 1.2.1 材料的腐蚀 | 第15-16页 |
| 1.2.2 杂质对主等离子体性能的影响 | 第16-18页 |
| 1.2.3 实验装置的壁材料 | 第18页 |
| 1.3 中国聚变工程实验堆 | 第18-19页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第19-22页 |
| 第2章 SOLPS及DIVIMP软件 | 第22-46页 |
| 2.1 边界等离子体模拟程序SOLPS | 第22-26页 |
| 2.1.1 边界等离子体流体程序B2.5 | 第22-24页 |
| 2.1.2 蒙特卡洛中性粒子输运程序EIRENE | 第24-25页 |
| 2.1.3 计算区域划分 | 第25-26页 |
| 2.2 边界杂质输运程序DIVIMP | 第26-46页 |
| 2.2.1 杂质离子输运 | 第27-28页 |
| 2.2.2 快速再沉积过程 | 第28-29页 |
| 2.2.3 DIVIMP程序的原理和运行 | 第29-46页 |
| 第3章 钨壁条件下CFETR芯部钨杂质浓度模拟 | 第46-58页 |
| 3.1 Ne辐射杂质注入时背景等离子体模拟 | 第46-48页 |
| 3.1.1 SOLPS模拟网格及输入参数 | 第46-47页 |
| 3.1.2 偏滤器等离子体状态 | 第47-48页 |
| 3.2 芯部钨杂质浓度的DIVIMP模拟 | 第48-58页 |
| 3.2.1 模拟设置 | 第48-50页 |
| 3.2.2 溅射通量分布 | 第50-52页 |
| 3.2.3 钨杂质的二维分布 | 第52-54页 |
| 3.2.4 芯部钨杂质浓度的影响因素分析 | 第54-58页 |
| 第4章 总结和展望 | 第58-59页 |
| 4.1 研究工作总结 | 第58页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第65页 |
