| 学位论文数据集 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| Contents | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 光电探测技术的典型应用 | 第16-19页 |
| 1.2.1 在食品检测方面的应用 | 第16页 |
| 1.2.2 在环境监测方面的应用 | 第16-17页 |
| 1.2.3 在军事、国防及安全方面的应用 | 第17-18页 |
| 1.2.4 在工业方面的应用 | 第18-19页 |
| 1.3 自驱动式的半导体光电探测器研究现状 | 第19-27页 |
| 1.3.1 自驱动式的MSM肖特基结二极管光电探测器研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3.2 自驱动式的p-n结二极管光探测器研究现状 | 第23-27页 |
| 1.4 硅纳米线阵列光学和化学性质 | 第27-30页 |
| 1.5 氧化铜纳米结构材料在光探测中的应用 | 第30-33页 |
| 1.6 本课题的目的和意义 | 第33-35页 |
| 第二章 基于金/硅纳米线阵列肖特基结的自驱动式可见-近红外光探测器性能研究 | 第35-50页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 实验部分 | 第36-37页 |
| 2.2.1 实验材料和仪器 | 第36页 |
| 2.2.2 硅纳米线阵列制备 | 第36页 |
| 2.2.3 肖特基结光探测器制作 | 第36-37页 |
| 2.2.4 探测器结构表征和光探测性能测试 | 第37页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第37-49页 |
| 2.3.1 刻蚀时间对硅纳米线阵列形貌的影响 | 第37-40页 |
| 2.3.2 器件用硅纳米线阵列表征 | 第40-41页 |
| 2.3.3 金/硅纳米线肖特基结光探测器二极管特性表征 | 第41-42页 |
| 2.3.4 金/硅纳米线肖特基结光探测器自驱动可见-近红外光探测性能评价 | 第42-48页 |
| 2.3.5 金/硅纳米线肖特基结的光探测机理 | 第48-49页 |
| 2.4 小结 | 第49-50页 |
| 第三章 基于P-氧化铜/N-硅纳米线阵列的自驱动、快速、宽光谱响应探测器性能研究 | 第50-69页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-53页 |
| 3.2.1 实验材料和仪器 | 第51-52页 |
| 3.2.2 p-CuO/n-SiNWs阵列合成 | 第52页 |
| 3.2.3 CuO/SiNWs p-n结光探测器制作 | 第52页 |
| 3.2.4 CuO/SiNWs p-n结光探测器结构表征和光探测性能测试 | 第52-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-68页 |
| 3.3.1 p-CuO/n-SiNWs阵列形貌表征 | 第53-55页 |
| 3.3.2 CuO/SiNWs p-n结光探测器二极管特性表征 | 第55-56页 |
| 3.3.3 CuO/SiNWs p-n结光探测器自驱动可见-近红外光探测性能评价 | 第56-62页 |
| 3.3.4 CuO/SiNWs p-n结光探测机理 | 第62-63页 |
| 3.3.5 不同退火温度下p-CuO/n-SiNWs阵列形貌表征 | 第63-66页 |
| 3.3.6 不同退火温度下的CuO/SiNWs p-n结光探测器二极管特性比较 | 第66-67页 |
| 3.3.7 不同退火温度下的CuO/SiNWs p-n结光探测器性能比较 | 第67-68页 |
| 3.4 小结 | 第68-69页 |
| 第四章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 4.1 结论 | 第69-70页 |
| 4.2 论文创新点 | 第70页 |
| 4.3 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 研究成果以及发表的学术论文 | 第79-81页 |
| 作者及导师简介 | 第81-82页 |
| 附件 | 第82-83页 |
