高速电子系统电源分配网络噪声抑制与隔离
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 PDN噪声引起的问题 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究现状与动态 | 第16-17页 |
| 1.3 课题研究内容与论文结构 | 第17-19页 |
| 第二章 PDN噪声的形成原理 | 第19-27页 |
| 2.1 PDN的结构及组成 | 第19-20页 |
| 2.2 PDN的等效电路模型 | 第20-21页 |
| 2.3 PDN噪声的形成 | 第21-26页 |
| 2.3.1 PDN噪声 | 第21页 |
| 2.3.2 中低频视角-电源噪声，同步开关噪声 | 第21-23页 |
| 2.3.3 高频视角-平面谐振，地弹噪声 | 第23-25页 |
| 2.3.4 非理想返回路径诱导的PDN噪声 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小节 | 第26-27页 |
| 第三章 PDN噪声的抑制 | 第27-41页 |
| 3.1 去耦电容网络方法基础 | 第27-30页 |
| 3.1.1 去耦电容 | 第27-28页 |
| 3.1.2 目标阻抗 | 第28页 |
| 3.1.3 去耦电容的并联 | 第28-30页 |
| 3.2 去耦电容网络设计原理 | 第30-32页 |
| 3.3 层次化的去耦电容网络的设计 | 第32-37页 |
| 3.3.1 板级去耦电容设计 | 第32-33页 |
| 3.3.2 封装去耦电容设计 | 第33-34页 |
| 3.3.3 片上去耦电容设计 | 第34-35页 |
| 3.3.4 去耦电容网络的优点与不足 | 第35-37页 |
| 3.4 其他方法 | 第37-40页 |
| 3.4.1 嵌入式去耦电容 | 第37页 |
| 3.4.2 分割的电源或地平面 | 第37-38页 |
| 3.4.3 EBG结构 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小节 | 第40-41页 |
| 第四章 增强型AI-EBG结构设计 | 第41-51页 |
| 4.1 AI-EBG结构及分析方法 | 第41-43页 |
| 4.1.1 AI-EBG结构 | 第41-42页 |
| 4.1.2 EBG结构分析方法 | 第42-43页 |
| 4.2 AI-EBG结构等效电路模型及分析 | 第43-47页 |
| 4.2.1 AI-EBG结构等效电路模型 | 第43-46页 |
| 4.2.2 AI-EBG结构设计改进方法 | 第46-47页 |
| 4.3 增强型AI-EBG结构设计 | 第47-50页 |
| 4.3.1 增强型AI-EBG结构 | 第47-48页 |
| 4.3.2 地弹噪声抑制性能 | 第48-50页 |
| 4.4 本章小节 | 第50-51页 |
| 第五章 EBG结构应用相关问题 | 第51-67页 |
| 5.1 信号完整性问题 | 第51-52页 |
| 5.1.1 信号完整性原理 | 第51页 |
| 5.1.2 眼图 | 第51-52页 |
| 5.2 信号完整性问题分析及改善方法 | 第52-56页 |
| 5.2.1 仿真模型搭建 | 第52-53页 |
| 5.2.2 仿真结果及分析 | 第53-55页 |
| 5.2.3 信号完整性问题的改善方法 | 第55-56页 |
| 5.3 EBG结构抑制地弹噪声功能退化 | 第56-65页 |
| 5.3.1 嵌入式EBG结构抑制噪声功能退化 | 第56-57页 |
| 5.3.2 退化机制分析 | 第57-61页 |
| 5.3.3 退化问题解决方法与验证 | 第61-65页 |
| 5.4 本章小节 | 第65-67页 |
| 第六章 结论和展望 | 第67-69页 |
| 6.1 研究结论 | 第67页 |
| 6.2 研究展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
