| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-59页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 太阳能电池相关介绍 | 第15-19页 |
| 1.2.1 太阳能电池的原理 | 第15-17页 |
| 1.2.2 太阳能电池p-n结的I-V特性 | 第17-19页 |
| 1.2.3 影响太阳能电池转换效率的因素 | 第19页 |
| 1.3 铜基半导体薄膜在太阳能电池中的应用 | 第19-20页 |
| 1.4 铜锌锡硫基薄膜太阳能电池简介 | 第20-24页 |
| 1.4.1 CZTS半导体薄膜的结构与性质 | 第20-22页 |
| 1.4.2 铜锌锡硫基薄膜太阳能电池结构及其发展 | 第22-24页 |
| 1.5 制约铜锌锡硫基薄膜太阳能电池发展的因素 | 第24-32页 |
| 1.5.1 CZTS薄膜中杂相的产生 | 第24-25页 |
| 1.5.2 CZTS薄膜中缺陷的产生 | 第25-27页 |
| 1.5.3 CZTS吸收层与CdS缓冲层之间的界面问题 | 第27-29页 |
| 1.5.4 CZTS吸收层与Mo背电极之间的界面问题 | 第29-30页 |
| 1.5.5 CZTS太阳能电池的电损失 | 第30-31页 |
| 1.5.6 CZTS太阳能电池的光、热损失 | 第31-32页 |
| 1.6 新型铜基太阳能电池的开发 | 第32-41页 |
| 1.6.1 CCTS及CZCTS薄膜的制备 | 第33-36页 |
| 1.6.2 Cu_2CdSnS_4太阳能电池的发展 | 第36-39页 |
| 1.6.3 Cu_2Zn_(1-x)Cd_xSnS_4太阳能电池的发展 | 第39-41页 |
| 1.7 本论文研究课题的提出及主要研究内容 | 第41-45页 |
| 1.7.1 本论文的选题依据 | 第41-43页 |
| 1.7.2 本论文的主要工作 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-59页 |
| 第二章 Cd含量对Cu_2CdSnS_4薄膜光电性质的影响及机理研究 | 第59-74页 |
| 2.1 前言 | 第59-60页 |
| 2.2 实验过程 | 第60-61页 |
| 2.2.1 CCTS靶材的制备 | 第60页 |
| 2.2.2 CCTS预制薄膜的溅射以及硫化 | 第60-61页 |
| 2.2.3 对硫化前后CCTS薄膜的表征 | 第61页 |
| 2.3 第一性原理计算 | 第61页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第61-68页 |
| 2.4.1 CCTS薄膜成分、结构以及形貌表征 | 第61-65页 |
| 2.4.2 CCTS薄膜光学、电学性质表征以及本征缺陷分析 | 第65-68页 |
| 2.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第三章 p-Cu_2CdSnS_4/n-ZnS界面能带结构及其对光电器件性能的影响机制 | 第74-86页 |
| 3.1 前言 | 第74-75页 |
| 3.2 实验过程 | 第75-76页 |
| 3.2.1 薄膜及异质结的制备 | 第75页 |
| 3.2.2 材料与器件的性能表征 | 第75-76页 |
| 3.3 第一性原理计算 | 第76页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第76-82页 |
| 3.4.1 薄膜结构及光学带隙分析 | 第76-77页 |
| 3.4.2 CCTS/ZnS的光电响应及其界面能带偏移XPS分析 | 第77-80页 |
| 3.4.3 CCTS/ZnS异质结光电响应机制 | 第80-82页 |
| 3.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 碳掺杂提高Cu_2(Zn,Cd)Sn(S,Se)4太阳能电池背电极接触及转换效率研究 | 第86-104页 |
| 4.1 前言 | 第86-88页 |
| 4.2 实验过程 | 第88-90页 |
| 4.2.1 前驱体薄膜分子基溶液的制备 | 第88页 |
| 4.2.2 采用单层纯CZCTS前驱体薄膜制备CZCTSSe吸收层 | 第88页 |
| 4.2.3 采用双层C掺杂CZCTS/纯CZCTS前驱体薄膜制备CZCTSSe吸收层 | 第88-89页 |
| 4.2.4 太阳能电池器件的制备 | 第89页 |
| 4.2.5 对硒化后的吸收层以及相关太阳能电池的表征及性能测试 | 第89-90页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第90-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-104页 |
| 第五章 结论与展望 | 第104-107页 |
| 作者简介 | 第107-108页 |
| 博士期间取得的科研成果 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
