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硅基2.4GHz包络消除与恢复射频功率放大器设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-12页
    1.1 研究背景第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-10页
    1.3 研究内容与设计指标第10-11页
        1.3.1 研究内容第10页
        1.3.2 设计指标第10-11页
    1.4 论文组织结构第11-12页
第2章 功率放大器设计基础第12-24页
    2.1 功率放大器的简介第12-13页
    2.2 功率放大器的分类第13-16页
        2.2.1 D类功率放大器第13-14页
        2.2.2 E类功率放大器第14-15页
        2.2.3 F类功率放大器第15-16页
    2.3 功率合成技术第16-19页
        2.3.1 威尔金森(Wilkinson)功率合成第16-17页
        2.3.2 分布式LC功率合成第17-18页
        2.3.3 变压器型功率合成第18-19页
    2.4 功率放大器的几种线性化技术第19-21页
        2.4.1 前馈第19-20页
        2.4.2 预失真第20页
        2.4.3 采用非线性元件的线性放大第20-21页
    2.5 CMOS功率放大器设计要点第21-22页
        2.5.1 MOS晶体管低跨导问题第22页
        2.5.2 晶体管耐压问题第22页
        2.5.3 衬底问题第22页
        2.5.4 晶体管模型问题第22页
    2.6 本章小结第22-24页
第3章 EER功率放大器的设计及其前仿真第24-54页
    3.1 EER功率放大器的原理第24-25页
    3.2 包络检波器的设计第25-27页
        3.2.1 二极管包络检波器第25-26页
        3.2.2 伪复型包络检波器第26-27页
    3.3 包络调制器的设计第27-34页
        3.3.1 包络调制器的原理第27页
        3.3.2 包络调制器中的运算放大器的设计第27-29页
        3.3.3 包络调制器中的迟滞比较器的设计第29-31页
        3.3.4 与电源电压无关的偏置电路设计第31-33页
        3.3.5 Buck型DC/DC变换器的设计第33-34页
    3.4 限幅放大器的设计第34-36页
    3.5 E类功率放大器的设计第36-45页
        3.5.1 负载网络的设计第36-39页
        3.5.2 功放驱动级设计第39-40页
        3.5.3 共源共栅结构的E类功放与双电源技术第40-41页
        3.5.4 偏置电路的设计第41页
        3.5.5 E类功率放大器的整体设计第41-45页
    3.6 E类功率放大器的前仿真第45-49页
        3.6.1 瞬态仿真第45-46页
        3.6.2 稳定性仿真第46-47页
        3.6.3 输出功率和功率附加效率仿真第47-48页
        3.6.4 谐波抑制仿真第48-49页
        3.6.5 E类功率放大器前仿真总结第49页
    3.7 EER功率放大器的整体前仿真第49-52页
    3.8 本章小结第52-54页
第4章 EER功率放大器的版图设计和后仿真第54-70页
    4.1 版图设计的考虑因素第54-55页
    4.2 EER功率放大器的版图设计第55-62页
        4.2.1 包络检波器的版图设计第55-56页
        4.2.2 包络调制器的版图设计第56-57页
        4.2.3 限幅放大器的版图设计第57-58页
        4.2.4 E类功率放大器的版图设计及后仿真第58-61页
        4.2.5 EER功率放大器的整体版图设计第61-62页
    4.3 EER功率放大器的后仿真第62-68页
    4.4 本章小结第68-70页
第5章 工作总结和展望第70-72页
    5.1 工作总结第70页
    5.2 工作展望第70-72页
参考文献第72-76页
致谢第76-78页
攻读硕士学位期间发表的论文第78页

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