| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 基于质子酸掺杂机理的提高电化学活性方法 | 第10-13页 |
| 1.2.1 PANI自掺杂 | 第11-12页 |
| 1.2.2 高分子酸掺杂 | 第12-13页 |
| 1.3 基于电荷转移机理的提高电化学活性方法 | 第13-15页 |
| 1.3.1 碳纳米管掺杂 | 第13-14页 |
| 1.3.2 石墨烯掺杂 | 第14页 |
| 1.3.3 金纳米粒子复合 | 第14-15页 |
| 1.4 PANI与氧化物半导体的复合改性研究 | 第15-17页 |
| 1.5 本文的主要研究目的及研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第17页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第17-18页 |
| 2 共沉积一步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第18-25页 |
| 2.1 实验部分 | 第18-20页 |
| 2.1.1 实验试剂与设备 | 第18页 |
| 2.1.2 不锈钢基片上制备PANI膜 | 第18-19页 |
| 2.1.3 共沉积一步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第19-20页 |
| 2.1.4 在中性介质中的电化学活性测试 | 第20页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第20-24页 |
| 2.2.1 不锈钢基片上PANI的制备及其电化学活性 | 第20-21页 |
| 2.2.2 共沉积一步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第21-22页 |
| 2.2.3 沉积液配制工艺对复合膜电化学活性的影响 | 第22-23页 |
| 2.2.4 不同沉积基片对复合膜电化学活性的影响 | 第23-24页 |
| 2.3 小结 | 第24-25页 |
| 3 FTO基片上分步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第25-30页 |
| 3.1 实验部分 | 第25-27页 |
| 3.1.1 实验试剂与设备 | 第25-26页 |
| 3.1.2 FTO基片上分步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第26-27页 |
| 3.1.3 在中性介质中的电化学活性测试 | 第27页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第27-29页 |
| 3.2.1 不同制备方法对复合膜电化学活性的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 PANI沉积量对复合膜电化学活性的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 小结 | 第29-30页 |
| 4 W片上分步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第30-47页 |
| 4.1 实验部分 | 第30-32页 |
| 4.1.1 实验试剂与设备 | 第30-31页 |
| 4.1.2 W片上分步法制备PANI/WO_3复合膜 | 第31-32页 |
| 4.1.3 PANI/WO_3复合膜的表征与测试 | 第32页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第32-46页 |
| 4.2.1 PANI/WO_3复合膜的制备 | 第32-34页 |
| 4.2.2 W片氧化时间对复合膜电化学活性的影响 | 第34-35页 |
| 4.2.3 PANI/WO_3复合膜的表征 | 第35-40页 |
| 4.2.4 PANI/WO_3复合膜的电化学活性 | 第40-46页 |
| 4.3 小结 | 第46-47页 |
| 5 以TiO_2纳米管阵列为模板制备纳米结构PANI/WO_3复合膜 | 第47-55页 |
| 5.1 实验部分 | 第47-50页 |
| 5.1.1 实验试剂与设备 | 第47-48页 |
| 5.1.2 以TiO_2纳米管阵列为模板制备纳米结构PANI/WO_3复合膜 | 第48-49页 |
| 5.1.3 PANI/WO_3复合膜的表征与测试 | 第49-50页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第50-54页 |
| 5.2.1 TiO_2纳米管阵列中纳米结构PANI/WO_3复合膜的制备 | 第50-51页 |
| 5.2.2 PANI/WO_3复合膜的形貌 | 第51-53页 |
| 5.2.3 在中性介质中的电化学活性 | 第53-54页 |
| 5.3 小结 | 第54-55页 |
| 6 全文总结 | 第55-57页 |
| 6.1 本文主要结论 | 第55页 |
| 6.2 本文特色及创新点 | 第55-56页 |
| 6.3 工作展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 附录 | 第65页 |
