| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第10-19页 |
| 1.1 哈斯勒化合物 | 第10-15页 |
| 1.2 本文的研究目的、意义和研究内容 | 第15-19页 |
| 1.2.1 本文的研究目的、意义 | 第15-17页 |
| 1.2.2 本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 理论基础 | 第19-42页 |
| 1 量子多体问题 | 第20-28页 |
| 1.1 薛定谔方程 | 第21-22页 |
| 1.2 玻恩-奥本海默近似 | 第22-24页 |
| 1.3 Hartree-Fock近似 | 第24-28页 |
| 1.3.1 Hartree自洽场方法 | 第24-25页 |
| 1.3.2 Hartree-Fock自洽场方法 | 第25-26页 |
| 1.3.3 电子关联 | 第26-28页 |
| 2 密度泛函理论 | 第28-34页 |
| 2.1 Thomas-Fermi模型 | 第29页 |
| 2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| 2.3 Kohn-Sham方程 | 第30-32页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第32-33页 |
| 2.5 数值求解Kohn-Sham方程 | 第33-34页 |
| 3 量子蒙特卡罗 | 第34-42页 |
| 3.1 变分蒙特卡罗(VMC) | 第35-36页 |
| 3.2 投影蒙特卡罗(PMC) | 第36-40页 |
| 3.2.1 扩散蒙特卡罗(DMC) | 第37-39页 |
| 3.2.2 爬行蒙特卡罗(RMC) | 第39-40页 |
| 3.3 周期性边界条件 | 第40-42页 |
| 3.3.1 有限尺寸误差 | 第40-42页 |
| 第三章 MgH_2生成焓的基准计算 | 第42-49页 |
| 1 引言 | 第42-43页 |
| 2 计算方法 | 第43-46页 |
| 2.1 团簇近似扩展 | 第43-46页 |
| 2.2 密度泛函理论方法 | 第46页 |
| 2.3 量子蒙特卡罗方法 | 第46页 |
| 3 结果与讨论 | 第46-48页 |
| 4 结论 | 第48-49页 |
| 第四章 哈斯勒化合物ZrMnVZ和ZrCoFeZ(Z=Si,Ge)的第一性原理研究 | 第49-71页 |
| 1 引言 | 第49-50页 |
| 2 计算方法 | 第50页 |
| 3 稳定性 | 第50-58页 |
| 3.1 结构稳定性 | 第50-53页 |
| 3.2 物理稳定性 | 第53页 |
| 3.3 化学稳定性 | 第53-55页 |
| 3.4 机械稳定性 | 第55-58页 |
| 4 电子结构与磁性分析 | 第58-65页 |
| 5 Slater-Pauling规则 | 第65-66页 |
| 6 居里温度 | 第66-67页 |
| 7 晶格常数的影响探究 | 第67-70页 |
| 8 小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结构相稳定性研究 | 第71-79页 |
| 1 引言 | 第71页 |
| 2 相结构稳定性分析 | 第71-73页 |
| 3 电子结构和磁性分析 | 第73-78页 |
| 4 小结 | 第78-79页 |
| 第六章 掺杂对半金属性质的影响 | 第79-93页 |
| 1 引言 | 第79-80页 |
| 2 主族元素掺杂 | 第80-86页 |
| 2.1 电子结构和磁学性质 | 第80-83页 |
| 2.2 稳定性 | 第83-85页 |
| 2.3 掺杂比例影响 | 第85-86页 |
| 3 过渡金属元素掺杂 | 第86-91页 |
| 3.1 电子结构和磁学性质 | 第87-89页 |
| 3.2 稳定性 | 第89-90页 |
| 3.3 掺杂比例影响 | 第90-91页 |
| 4 小结 | 第91-93页 |
| 第七章 表面性质研究 | 第93-110页 |
| 1 计算方法 | 第93页 |
| 2 晶胞结构 | 第93-94页 |
| 3 电子结构与磁性 | 第94-106页 |
| 4 表面稳定性 | 第106-109页 |
| 5 小结 | 第109-110页 |
| 第八章 结论和展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-123页 |
| 论文发表情况 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125页 |