| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第9-15页 |
| 1.1 超导材料的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.1.1 零电阻 | 第9-10页 |
| 1.1.2 迈斯纳效应 | 第10页 |
| 1.2 超导材料的发展历史 | 第10-12页 |
| 1.3 半导体材料中的超导电性 | 第12页 |
| 1.4 材料微结构对物性的影响 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文研究的目的和内容 | 第13-15页 |
| 第二章 实验技术与实验原理 | 第15-31页 |
| 2.1 X射线衍射的基本原理和技术 | 第15-18页 |
| 2.1.1 X射线衍射原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 X射线衍射仪的构造与工作原理 | 第16-17页 |
| 2.1.3 X射线衍射数据分析 | 第17-18页 |
| 2.2 扫描电子显微镜(SEM)的原理与技术 | 第18-22页 |
| 2.2.1 电子与物质的相互作用 | 第18-19页 |
| 2.2.2 扫描电镜中二次电子成像的原理 | 第19-20页 |
| 2.2.3 扫描电镜中背散射电子成像的原理 | 第20-21页 |
| 2.2.4 能谱分析原理 | 第21-22页 |
| 2.3 透射电子显微镜(TEM)的原理与相关技术 | 第22-27页 |
| 2.3.1 透射电子显微镜的基本结构与成像模式 | 第22-23页 |
| 2.3.2 爱瓦尔德球(Ewald’s sphere)与结构因子 | 第23-25页 |
| 2.3.3 选区电子衍射 | 第25-26页 |
| 2.3.4 高分辨电子显微像 | 第26-27页 |
| 2.4 扫描透射电子显微术 | 第27-28页 |
| 2.5 物性测量设备 | 第28-31页 |
| 第三章 Cs_xBi_4Te_6制备、结构和物性研究 | 第31-59页 |
| 3.1 引言 | 第31-37页 |
| 3.1.1 CsBi_4Te_6简介 | 第31-36页 |
| 3.1.2 CsBi_4Te_6样品的多种制备方法 | 第36-37页 |
| 3.2 Cs_x Bi_4Te_6 (x=1, 1.05, 1.10, 1.15, 1.20, 1.25)材料的合成 | 第37-39页 |
| 3.3 Cs_x Bi_4Te_6材料的XRD数据分析 | 第39-41页 |
| 3.4 Cs_x Bi_4Te_6材料的物性表征 | 第41-45页 |
| 3.4.1 Cs_xBi_4Te_6系列样品的磁性质 | 第42-43页 |
| 3.4.2 Cs_xBi_4Te_6系列样品的电输运性质 | 第43-44页 |
| 3.4.3 Cs_xBi_4Te_6材料的热电性质 | 第44-45页 |
| 3.5 Cs_x Bi_4Te_6材料的微结构表征 | 第45-54页 |
| 3.5.1 Cs_xBi_4Te_6系列样品的SEM分析 | 第46-48页 |
| 3.5.2 Cs_xBi_4Te_6系列样品的STEM/TEM分析 | 第48-54页 |
| 3.6 CsBi2Te3材料的合成以及物性分析 | 第54-56页 |
| 3.7 小结 | 第56-59页 |
| 第四章 CsBi_4Te_6材料中的元素替代效应 | 第59-85页 |
| 4.1 CsPb_x Bi_(4-x)Te_6 (x≤1.0)系列材料的合成、结构和物性研究 | 第59-78页 |
| 4.1.1 引言 | 第59-61页 |
| 4.1.2 CsPb_xBi_(4-x)Te_6 (x≤1.0)系列材料的合成 | 第61页 |
| 4.1.3 CsPb_xBi_(4-x)Te_6 (x≤1.0)系列材料的XRD数据分析 | 第61-63页 |
| 4.1.4 CsPb_xBi_(4-x)Te_6 (x≤1.0)系列材料的物性表征 | 第63-67页 |
| 4.1.5 CsPb_xBi_(4-x)Te_6 (0.3≤x≤1.0)系列材料的微结构表征 | 第67-76页 |
| 4.1.6 制备过程对CsPb_xBi_(4-x)Te_6 (0.3≤x≤1.0)样品的影响 | 第76-77页 |
| 4.1.7 结果与讨论 | 第77-78页 |
| 4.2 Cs_xPbBi_3Te_6 (0.9≤x≤1.1)系列材料的合成，结构与物性研究 | 第78-80页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第78页 |
| 4.2.2 结构和物性研究 | 第78-80页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第80页 |
| 4.3 CsBi_4Se_xTe_(6-x) (0.2≤x≤1.2)系列材料的合成与物性研究 | 第80-83页 |
| 4.3.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.3.2 样品制备 | 第81-82页 |
| 4.3.3 结构和物性研究 | 第82-83页 |
| 4.4 KBi_4Te_6和RbBi_4Te_6尝试合成 | 第83-84页 |
| 4.5 小结 | 第84-85页 |
| 第五章 La_(1.8-x)Eu_(0.2)Sr_xCuO_4材料的制备、结构和物性研究 | 第85-93页 |
| 5.1 引言 | 第85-87页 |
| 5.2 La_(1.8-x)Eu_(0.2)Sr_xCuO_4 (0.05≤x≤0.2)材料的制备 | 第87-88页 |
| 5.3 粉末X射线衍射数据分析 | 第88-89页 |
| 5.4 La_(1.8-x)Eu_(0.2)Sr_xCuO_4 (0.05≤x≤0.2)材料的电输运性质 | 第89-90页 |
| 5.5 La_(1.8-x)Eu_(0.2)Sr_xCuO_4 (0.05≤x≤0.2)材料的微结构分析 | 第90-91页 |
| 5.5.1 扫描电子显微镜分析 | 第90-91页 |
| 5.5.2 原位TEM分析 | 第91页 |
| 5.6 小结 | 第91-93页 |
| 第六章 总结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-107页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
