| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 量子尺寸效应和纳米科技 | 第10-11页 |
| 1.2 二维材料简介 | 第11-12页 |
| 1.3 拓扑绝缘体简介 | 第12-14页 |
| 1.4 二维超导体简介 | 第14页 |
| 1.5 二维异质结简介 | 第14-15页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 实验原理和实验仪器 | 第16-32页 |
| 2.1 超高真空技术简介 | 第16-20页 |
| 2.2 分子束外延技术简介 | 第20-22页 |
| 2.3 STM技术简介 | 第22-25页 |
| 2.3.1 STM/STS原理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 STM针尖制备和处理 | 第24页 |
| 2.3.3 非原位针尖处理方法 | 第24页 |
| 2.3.4 原位针尖处理方法 | 第24-25页 |
| 2.4 低能电子衍射简介 | 第25-27页 |
| 2.5 X射线光电子能谱简介 | 第27-28页 |
| 2.6 实验仪器介绍 | 第28-32页 |
| 第三章 HfTe_3薄膜的褶皱结构及其物性 | 第32-44页 |
| 3.1 研究背景 | 第32-33页 |
| 3.1.1 外延薄膜的应力特征 | 第32页 |
| 3.1.2 对称性对薄膜应力的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.3 表面应力和褶皱对薄膜的调控 | 第33页 |
| 3.2 单晶铪表面HfTe_3薄膜的制备 | 第33-39页 |
| 3.3 薄膜褶皱处的电子态测量 | 第39-41页 |
| 3.4 褶皱处局域电子态的计算模拟 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 应力对外延ZrTe_3薄膜超导特性的调控 | 第44-58页 |
| 4.1 背景介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 锆单晶表面ZrTe_3超导薄膜的制备 | 第45-49页 |
| 4.3 超导薄膜应力的理论计算 | 第49-51页 |
| 4.4 不同衬底上薄膜超导温度的测量 | 第51-54页 |
| 4.5 ZrTe_3薄膜的厚度评估 | 第54页 |
| 4.6 超导温度不同的原因分析 | 第54-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 HfTe_3-HfTe5异质结的制备与物性 | 第58-72页 |
| 5.1 研究背景 | 第58-63页 |
| 5.1.1 HfTe_5的拓扑特性 | 第58-59页 |
| 5.1.2 HfTe_3的超导特性 | 第59-61页 |
| 5.1.3 马约拉纳费米子简介 | 第61-63页 |
| 5.2 单晶铪表面HfTe_5薄膜的制备与物性 | 第63-66页 |
| 5.3 HfTe_5薄膜表面HfTe_3薄膜的制备与物性 | 第66-68页 |
| 5.4 异质结的结构表征 | 第68-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 TiTe_2薄膜的制备与物性 | 第72-80页 |
| 6.1 研究背景 | 第72页 |
| 6.2 钛单晶表面TiTe_2薄膜的制备 | 第72-75页 |
| 6.3 TiTe_2薄膜的超导特性 | 第75-77页 |
| 6.4 TiTe_2薄膜的CDW特性 | 第77-78页 |
| 6.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 第七章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-94页 |
| 个人简历 | 第94-96页 |
| 发表文章目录 | 第96-98页 |
| 博士阶段申请的专利 | 第98-99页 |
| 博士阶段参加的学术会议 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |