用于超导单光子探测器的氮化铌与铌硅薄膜制备研究
摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第7-18页 |
1.1 超导单光子探测器 | 第7-9页 |
1.1.1 SNSPD原理及应用 | 第7-8页 |
1.1.2 SNSPD薄膜研究进展 | 第8-9页 |
1.2 超导薄膜的制备与表征 | 第9-14页 |
1.2.1 薄膜制备技术 | 第9-10页 |
1.2.2 超导薄膜表征 | 第10-14页 |
1.3 两种铌基超导薄膜 | 第14-17页 |
1.3.1 NbN薄膜 | 第14-16页 |
1.3.2 NbSi薄膜 | 第16-17页 |
1.4 本论文的主要研究内容和工作安排 | 第17-18页 |
第2章 NbN薄膜的研究制备及物性 | 第18-36页 |
2.1 NbN薄膜的制备 | 第18-23页 |
2.1.1 磁控溅射系统介绍 | 第18-19页 |
2.1.2 实验工艺和参数设定 | 第19-22页 |
2.1.3 薄膜制备流程 | 第22-23页 |
2.2 NbN薄膜的物性研究 | 第23-35页 |
2.2.1 NbN薄膜的超导特性 | 第23-26页 |
2.2.2 NbN薄膜的结构及表面形貌特征 | 第26-31页 |
2.2.3 NbN薄膜的方块电阻及厚度表征 | 第31-34页 |
2.2.4 NbN薄膜的均匀性分析 | 第34-35页 |
2.3 本章小结 | 第35-36页 |
第3章 NbSi薄膜的制备及物性研究 | 第36-49页 |
3.1 NbSi薄膜的制备 | 第36-41页 |
3.1.1 磁控共溅射系统介绍 | 第36-38页 |
3.1.2 实验工艺和参数设定 | 第38页 |
3.1.3 薄膜制备与优化 | 第38-41页 |
3.2 薄膜的表征 | 第41-48页 |
3.2.1 NbSi薄膜的方阻及化学成分表征 | 第41-45页 |
3.2.2 NbSi薄膜结构及表面形貌特征 | 第45-48页 |
3.2.3 NbSi薄膜的超导特性 | 第48页 |
3.3 本章小结 | 第48-49页 |
第4章 总结与展望 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-52页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |