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用于超导单光子探测器的氮化铌与铌硅薄膜制备研究

摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
第1章 绪论第7-18页
    1.1 超导单光子探测器第7-9页
        1.1.1 SNSPD原理及应用第7-8页
        1.1.2 SNSPD薄膜研究进展第8-9页
    1.2 超导薄膜的制备与表征第9-14页
        1.2.1 薄膜制备技术第9-10页
        1.2.2 超导薄膜表征第10-14页
    1.3 两种铌基超导薄膜第14-17页
        1.3.1 NbN薄膜第14-16页
        1.3.2 NbSi薄膜第16-17页
    1.4 本论文的主要研究内容和工作安排第17-18页
第2章 NbN薄膜的研究制备及物性第18-36页
    2.1 NbN薄膜的制备第18-23页
        2.1.1 磁控溅射系统介绍第18-19页
        2.1.2 实验工艺和参数设定第19-22页
        2.1.3 薄膜制备流程第22-23页
    2.2 NbN薄膜的物性研究第23-35页
        2.2.1 NbN薄膜的超导特性第23-26页
        2.2.2 NbN薄膜的结构及表面形貌特征第26-31页
        2.2.3 NbN薄膜的方块电阻及厚度表征第31-34页
        2.2.4 NbN薄膜的均匀性分析第34-35页
    2.3 本章小结第35-36页
第3章 NbSi薄膜的制备及物性研究第36-49页
    3.1 NbSi薄膜的制备第36-41页
        3.1.1 磁控共溅射系统介绍第36-38页
        3.1.2 实验工艺和参数设定第38页
        3.1.3 薄膜制备与优化第38-41页
    3.2 薄膜的表征第41-48页
        3.2.1 NbSi薄膜的方阻及化学成分表征第41-45页
        3.2.2 NbSi薄膜结构及表面形貌特征第45-48页
        3.2.3 NbSi薄膜的超导特性第48页
    3.3 本章小结第48-49页
第4章 总结与展望第49-50页
参考文献第50-52页
攻读硕士学位期间的研究成果第52-53页
致谢第53-54页

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