| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 晶体生长概述 | 第11-14页 |
| 1.1.1 晶体生长的意义和常见晶体生长方法 | 第11-12页 |
| 1.1.2 浮区法生长晶体简介及其应用 | 第12-14页 |
| 1.2 铜氧化物高温超导体简介 | 第14-18页 |
| 1.2.1 铜氧化物高温超导体的发展历程 | 第14-15页 |
| 1.2.2 铜氧化物高温超导体的结构 | 第15-17页 |
| 1.2.3 铜氧化物高温超导体的相图 | 第17-18页 |
| 1.3 Bi系铜氧化物超导体的研究概述 | 第18-21页 |
| 1.3.1 Bi系超导体的结构 | 第18-20页 |
| 1.3.2 Bi系铜氧化物的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.4 Bi系高温超导单晶的制备 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的研究目的和主要内容 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 光学浮区法晶体生长和晶体物性表征手段 | 第28-41页 |
| 2.1 序言 | 第28页 |
| 2.2 光学浮区法晶体生长装置 | 第28-31页 |
| 2.3 光学浮区法晶体生长工艺 | 第31-37页 |
| 2.3.1 粉体制备 | 第31-32页 |
| 2.3.2 料棒制备 | 第32-33页 |
| 2.3.3 晶体生长 | 第33-37页 |
| 2.4 Bi-2212晶体表征方法与物性测量 | 第37-40页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第37-38页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第38页 |
| 2.4.3 物理性能综合测试系统(PPMS) | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+δ)单晶的制备及物性研究 | 第41-55页 |
| 3.1 序言 | 第41-42页 |
| 3.2 Bi-2212单晶的生长过程 | 第42-43页 |
| 3.3 Bi-2212单晶的晶体表征 | 第43-51页 |
| 3.3.1 Bi-2212单晶的微结构分析 | 第43-48页 |
| 3.3.2 Bi-2212单晶的超导性能表征 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第四章 Bi-2212单晶在高氧压下的退火研究 | 第55-72页 |
| 4.1 序言 | 第55-56页 |
| 4.2 样品的制备方法 | 第56-57页 |
| 4.3 高氧压下退火Bi-2212单晶的表征 | 第57-63页 |
| 4.3.1 高氧压下退火Bi-2212单晶的结构表征 | 第57-59页 |
| 4.3.2 高氧压退火Bi-2212单晶的超导性能表征 | 第59-63页 |
| 4.4 高氧压下退火Bi-2212单晶的各向异性研究 | 第63-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-75页 |
| 硕士期间发表论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
