| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 论文研究背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第8-11页 |
| 1.2.1 有关半导体功率器件的研究 | 第8-9页 |
| 1.2.2 有关SOI技术的研究 | 第9-10页 |
| 1.2.3 有关开关电源的研究 | 第10-11页 |
| 1.3 SOI-LDMOS几个研究方向 | 第11-13页 |
| 1.3.1 耐压的提升 | 第11-12页 |
| 1.3.2 降低比导通电阻 | 第12页 |
| 1.3.3 改善自热效应 | 第12-13页 |
| 1.4 开关电源中SOI-LDMOS的作用与性能指标 | 第13-14页 |
| 1.5 本文的主要工作和创新 | 第14-16页 |
| 2 SOI-LDMOS耐压特性 | 第16-41页 |
| 2.1 有关半导体功率器件的研究 | 第16-20页 |
| 2.1.1 一维耐压模型 | 第16-18页 |
| 2.1.2 二维耐压模型 | 第18-20页 |
| 2.1.3 RESURF(Reduce Surface Field)判据 | 第20页 |
| 2.2 SOI-LDMOS器件新结构研究 | 第20-29页 |
| 2.2.1 三角槽SOI-LDMOS器件新结构 | 第21-22页 |
| 2.2.2 三角槽SOI-LDMOS新结构耐压机理 | 第22-23页 |
| 2.2.3 三角槽SOI-LDMOS二维电势分布模型 | 第23-26页 |
| 2.2.4 三角槽SOI器件临界电场与击穿点的计算 | 第26-27页 |
| 2.2.5 三角槽SOI器件RESURF判据 | 第27-29页 |
| 2.3 三角槽SOI-LDMOS器件结构仿真 | 第29-34页 |
| 2.3.1 仿真参数设置 | 第29-30页 |
| 2.3.2 掺杂浓度对器件耐压的影响 | 第30-31页 |
| 2.3.3 三角槽SOI-LDMOS结构耐压规律 | 第31-34页 |
| 2.4 三角槽SOI-LDMOS结构耐压特性的影响 | 第34-36页 |
| 2.4.1 三角槽SOI-LDMOS器件的电场分布 | 第34-35页 |
| 2.4.2 三角槽SOI-LDMOS器件耐压优势 | 第35-36页 |
| 2.5 SOI-LDMOS器件的温度特性 | 第36-40页 |
| 2.5.1 SOI-LDMOS比导通电阻仿真 | 第36-39页 |
| 2.5.2 SOI-LDMOS温度仿真 | 第39-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 SOI-LDMOS动态特性 | 第41-51页 |
| 3.1 动态耐压特性测试电路 | 第41-42页 |
| 3.2 SOI-LDMOS动态耐压特性 | 第42-46页 |
| 3.2.1 常规SOI-LDMOS动态耐压 | 第42-43页 |
| 3.2.2 三角槽SOI-LDMOS器件动态耐压 | 第43-45页 |
| 3.2.3 SOI-LDMOS表面电场分布 | 第45-46页 |
| 3.3 SOI-LDMOS开关特性 | 第46-49页 |
| 3.4 SOI-LDMOS动态温度特性 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 SOI-LDMOS在开关电源Buck电路中的应用研究 | 第51-66页 |
| 4.1 开关电源概述 | 第51页 |
| 4.2 开关电源基本原理 | 第51-52页 |
| 4.3 开关电源Buck电路仿真 | 第52-65页 |
| 4.3.1 Buck电路工作原理 | 第52-54页 |
| 4.3.2 Buck电路仿真参数选择 | 第54-55页 |
| 4.3.3 Buck电路的仿真结果 | 第55-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及科研成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
