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5-30keV电子致钨原子L及M壳层X射线产生截面的薄网格衬靶方法研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 引言第9-15页
    1.1 正负电子与物质的相互作用第9-11页
        1.1.1 电子与物质的相互作用第9-10页
        1.1.2 正电子与物质的相互作用第10-11页
    1.2 正负电子致原子内壳层电离截面测量研究的意义第11页
    1.3 正负电子致原子内壳层电离截面测量研究的现状第11-14页
    1.4 正负电子致原子内壳层电离截面实验研究的目的第14-15页
第2章 电子致原子电离截面的理论模型第15-18页
    2.1 PWBA-C-Ex理论模型简介第15-17页
    2.2 DWBA理论模型简介第17-18页
第3章 实验方法介绍第18-26页
    3.1 实验装置第18-19页
    3.2 靶的制备第19-22页
        3.2.1 自支撑碳网格衬靶的制备第19-20页
        3.2.2 自支撑碳网格衬靶表面扫描电镜图像第20-22页
        3.2.3 薄膜厚碳衬靶的制备第22页
    3.3 探测器效率刻度第22-26页
第4章 数据处理第26-34页
    4.1 自支撑薄膜网格衬靶的数据处理第26-27页
    4.2 薄膜厚碳衬靶的数据处理第27-32页
    4.3 误差分析第32-34页
第5章 实验结果及分析第34-38页
    5.1 钨元素L壳层X射线产生截面值第34-36页
    5.2 钨元素M壳层X射线产生截面值第36-38页
第6章 结论与展望第38-40页
    6.1 结论第38页
    6.2 展望第38-40页
参考文献第40-45页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第45-46页
致谢第46页

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