| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 类石墨烯二维硫族化合物的研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 维材料的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 维硫族化合物材料在器件上的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 维硫族金属化合物中载流子输运和散射机制的研究 | 第14-16页 |
| 1.2.4 电子自旋、轨道和谷极化作用研究 | 第16页 |
| 1.3 二硫化锡(SnS_2)的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究的目的和意义 | 第17-18页 |
| 1.5 论文的结构与安排 | 第18-19页 |
| 2 机械剥离法制备单层SnS_2 | 第19-26页 |
| 2.1 SnS_2的基本性质 | 第19页 |
| 2.2 单层材料制备方法 | 第19-20页 |
| 2.3 实验材料与仪器 | 第20页 |
| 2.4 材料的制备过程 | 第20-24页 |
| 2.4.1 衬底清洗 | 第20-21页 |
| 2.4.2 剥离方法 | 第21页 |
| 2.4.3 疑似单层样品的定位方法 | 第21-23页 |
| 2.4.4 光学显微镜下样品厚度的初步确定 | 第23-24页 |
| 2.5 影响样品制备的关键因素总结 | 第24-26页 |
| 3 样品的表征 | 第26-39页 |
| 3.1 原子力显微镜表征 | 第26-34页 |
| 3.1.1 工作原理 | 第27页 |
| 3.1.2 原子力显微镜的成像模式及特点 | 第27-28页 |
| 3.1.3 不同衬底粗糙度表征的结果 | 第28-29页 |
| 3.1.4 硅衬底表面薄层样品厚度的具体分析 | 第29-34页 |
| 3.2 拉曼光谱表征 | 第34-38页 |
| 3.2.1 拉曼光谱表征的基本原理 | 第34-35页 |
| 3.2.2 表征结果 | 第35-38页 |
| 3.3 表征结果与讨论 | 第38-39页 |
| 4 基于SnS_2薄层的场效应晶体管的制备与表征 | 第39-47页 |
| 4.1 场效应晶体管的结构和原理 | 第39-40页 |
| 4.2 基于SnS_2薄层的场效应晶体管的制备 | 第40-42页 |
| 4.2.1 场效应晶体管的微加工工艺 | 第41-42页 |
| 4.3 器件的电学性能测试 | 第42-46页 |
| 4.3.1 转移特性曲线测试及载流子迁移率计算 | 第43-44页 |
| 4.3.2 输出特性曲线及器件开关比计算 | 第44-46页 |
| 4.4 测试结果总结 | 第46-47页 |
| 5 结论与未来工作展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 作者简历 | 第52-54页 |
| 学位论文数据集 | 第54页 |