| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 背景介绍 | 第11-20页 |
| 1.1 自发辐射力 | 第12-15页 |
| 1.2 受激辐射力 | 第15-20页 |
| 第二章 二能级系统中的双色力 | 第20-36页 |
| 2.1 π脉冲模型 | 第20-24页 |
| 2.2 双缀饰原子模型 | 第24-29页 |
| 2.3 数值计算 | 第29-34页 |
| 2.4 双色力中心的移动 | 第34页 |
| 2.5 二能级系统中双色力的特点 | 第34-36页 |
| 第三章 多能级系统中的双色力 | 第36-45页 |
| 3.1 基于二能级系统的统计方法 | 第37-39页 |
| 3.2 基于lambda系统的模拟方法 | 第39-40页 |
| 3.3 基于完整系统的多能级方法 | 第40-43页 |
| 3.4 暗态的消除 | 第43-45页 |
| 第四章 MgF分子的双色力减速 | 第45-63页 |
| 4.1 MgF分子能级和跃迁电偶极距 | 第45-49页 |
| 4.2 MgF分子的双色力大小 | 第49-57页 |
| 4.3 Monte-Carlo模拟 | 第57-59页 |
| 4.4 A~2Ⅱ→X~2∑~+和B~2∑~+→X~2∑~+跃迁的比较 | 第59-62页 |
| 4.5 多能级和二能级的比较 | 第62-63页 |
| 第五章 YbF分子的双色力减速 | 第63-72页 |
| 5.1 YbF分子的跃迁电偶极距 | 第63-65页 |
| 5.2 相位对双色力的影响 | 第65-67页 |
| 5.3 双色力减速YbF分子的可行性 | 第67-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 附录A | 第80-82页 |
| 附录B | 第82-89页 |
| B.1 Littman型外腔半导体激光器 | 第82-83页 |
| B.2 基于饱和吸收技术的数字式稳频 | 第83-87页 |
| B.3 钛宝石激光器的稳频 | 第87-89页 |
| 科研成果以及所获荣誉 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |