首页--数理科学和化学论文--物理学论文--电磁学、电动力学论文--电磁学论文

太赫兹增透窗口设计与制作

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 太赫兹波第10-12页
        1.1.1 太赫兹波特性及其应用第11页
        1.1.2 太赫兹探测器第11-12页
    1.2 光学增透窗口的设计方法第12-15页
        1.2.1 传统光学薄膜第12-14页
        1.2.2 亚波长增透结构第14-15页
    1.3 二元光学第15-20页
        1.3.1 二元光学概念第15-17页
        1.3.2 二元光学设计理论第17页
        1.3.3 二元光学制作方法第17-20页
            1.3.3.1 有掩膜方法第17-19页
            1.3.3.2 无掩膜方法第19-20页
    1.4 国内外研究现状第20页
    1.5 本文研究的主要内容第20-22页
第二章 亚波长增透结构的理论基础第22-35页
    2.1 电磁波理论基础第22-23页
    2.2 等效介质理论第23-30页
        2.2.1 一维亚波长周期结构的零级等效介质理论第24-26页
        2.2.2 一维亚波长周期结构的二级等效介质理论第26-27页
        2.2.3 二维亚波长周期结构的零级等效介质理论第27-28页
        2.2.4 二维正方状体亚波长周期结构的二级等效介质理论第28-29页
        2.2.5 亚波长结构的周期界定第29-30页
    2.3 严格耦合波理论第30-34页
        2.3.1 二维亚波长结构的严格耦合波理论分析第31-34页
    2.4 本章小结第34-35页
第三章 太赫兹增透窗口结构设计第35-43页
    3.1 分析设计方法(EMT-RCWA)第35-36页
    3.2 双面增透窗口结构第36-41页
        3.2.1 入射面增透结构第37-39页
        3.2.2 出射面抗反射结构第39-41页
    3.3 掩膜版图形第41-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 太赫兹增透窗口结构的制作过程第43-63页
    4.1 工艺流程图(INTELLISUITE)第43-44页
    4.2 掩膜层第44-45页
    4.3 等离子体增强化学气相沉积法第45页
    4.4 光刻第45-52页
        4.4.1 前处理第46-47页
        4.4.2 旋转涂胶第47页
        4.4.3 软烘第47-48页
        4.4.4 对准和曝光第48-50页
        4.4.5 曝光后烘焙第50-51页
        4.4.6 显影第51页
        4.4.7 检查和硬烘第51-52页
    4.5 刻蚀第52-55页
        4.5.1 RIE刻蚀氮化硅第53-55页
        4.5.2 ICP刻蚀硅第55页
    4.6 去胶第55-56页
    4.7 实验制作步骤第56-57页
    4.8 太赫兹波透过率测试以及结果分析第57-62页
    4.9 本章小结第62-63页
第五章 总结与展望第63-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-69页
攻读硕士学位期间的研究成果第69-70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:一种基于日志的分布式增量聚类算法
下一篇:基于二维石墨烯及超材料的纳光子吸收结构研究