| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-25页 |
| 1.1 光电探测器的探测原理 | 第16-18页 |
| 1.1.1 光子探测器 | 第16-17页 |
| 1.1.2 热辐射探测器 | 第17-18页 |
| 1.2 光电探测的性能参数 | 第18-23页 |
| 1.2.1 响应度和光谱响应 | 第18-19页 |
| 1.2.2 量子效率 | 第19-20页 |
| 1.2.3 上升下降时间与带宽 | 第20-21页 |
| 1.2.4 噪声等效功率和探测率 | 第21-23页 |
| 1.2.5 光电探测器的其他参数 | 第23页 |
| 1.3 小结 | 第23-25页 |
| 第二章 探测器分类 | 第25-35页 |
| 2.1 光电探测器的探测范围分类 | 第25-28页 |
| 2.1.1 紫外光电探测器(UV Photodetector) | 第25-26页 |
| 2.1.2 可见光探测器(Visible Photodetector) | 第26-27页 |
| 2.1.3 红外光电探测器(Infrared Photodetector) | 第27-28页 |
| 2.2 光电探测器的器件结构分类 | 第28-33页 |
| 2.2.1 光电管 | 第28页 |
| 2.2.2 光电倍增管 | 第28-29页 |
| 2.2.3 光电导型光电探测器 | 第29-30页 |
| 2.2.4 PN结型光电探测器 | 第30-31页 |
| 2.2.5 PIN型光电探测器 | 第31-32页 |
| 2.2.6 APD雪崩光电二极管 | 第32页 |
| 2.2.7 光电三极管 | 第32-33页 |
| 2.2.8 肖特基结光电二极管 | 第33页 |
| 2.3 探测器分类小结 | 第33-35页 |
| 第三章 石墨烯/氧化锌单晶基片紫外光电探测器制备与性能研究 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 石墨烯的制备与表征 | 第36-38页 |
| 3.2.1 石墨烯的合成 | 第36-37页 |
| 3.2.2 单层石墨烯的表征 | 第37-38页 |
| 3.3 单层石墨烯/氧化锌单晶基片紫外光电探测器的制备与表征 | 第38-47页 |
| 3.3.1 基于石墨烯/氧化锌单晶基片紫外光电探测器的制备 | 第38-39页 |
| 3.3.2 石墨烯/氧化锌单晶基片紫外光电探测器的表征 | 第39-47页 |
| 3.4 基于石墨烯/氧化锌单晶基片的肖特基结光电探测器小结 | 第47-49页 |
| 第四章 碳纳米管薄膜/石墨烯肖特基结宽光谱探测器的研制和性能研究 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 碳纳米管薄膜和石墨烯的制备与表征 | 第50-51页 |
| 4.2.1 单层石墨烯的制备 | 第50页 |
| 4.2.2 碳纳米管薄膜的制备 | 第50页 |
| 4.2.3 单层石墨烯和碳纳米管薄膜的表征 | 第50-51页 |
| 4.3 单层石墨烯/碳纳米管薄膜的光电探测器制备与表征 | 第51-58页 |
| 4.3.1 单层石墨烯/碳纳米管薄膜的光电探测器制备 | 第51-52页 |
| 4.3.2 石墨烯和碳纳米管薄膜光电探测器的表征 | 第52-58页 |
| 4.4 基于石墨烯和碳纳米管薄膜的光电探测器性能小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结及展望 | 第59-61页 |
| 5.1 本文研究内容与结论 | 第59-60页 |
| 5.2 未来展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文与取得研究成果 | 第69页 |
