CVD法制备石墨烯及其光电性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10页 |
| 1.2 石墨烯的结构 | 第10-11页 |
| 1.3 石墨烯的光电性质 | 第11-13页 |
| 1.3.1 光学性质 | 第11-12页 |
| 1.3.2 电学性质 | 第12-13页 |
| 1.4 石墨烯制备方法 | 第13-17页 |
| 1.5 石墨烯场效应晶体管的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.6 课题研究意义及内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验及表征方法 | 第20-29页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第20-23页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第21-23页 |
| 2.2 石墨烯的制备与转移 | 第23-25页 |
| 2.2.1 石墨烯的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 石墨烯的转移 | 第24-25页 |
| 2.3 表征方法 | 第25-29页 |
| 第3章 石墨烯的制备与表征 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 铜箔质量对石墨烯生长的影响 | 第29-30页 |
| 3.3 碳源浓度对石墨烯生长的影响 | 第30-34页 |
| 3.4 石墨烯薄膜的透光率测试 | 第34-35页 |
| 3.5 石墨烯的薄膜方阻测试 | 第35-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 石墨烯场效应晶体管 | 第38-47页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 石墨烯场效应晶体管的结构以及工作原理 | 第38-39页 |
| 4.3 石墨烯场效应晶体管的制备 | 第39-40页 |
| 4.4 石墨烯场效应晶体管电学性能研究 | 第40-46页 |
| 4.4.1 不同沟道长度的GFET的电学性能 | 第40-44页 |
| 4.4.2 GFET的低压导电特性 | 第44页 |
| 4.4.3 GFET的低温导电特性 | 第44-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
