| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 光电阴极发展概述 | 第12-14页 |
| 1.2 InGaAs光电阴极国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3 InGaAs光电阴极在近红外探测中的应用与挑战 | 第18-23页 |
| 1.3.1 微光夜视技术及其发展 | 第18-19页 |
| 1.3.2 InGaAs光电阴极在近红外探测器件中的应用 | 第19-22页 |
| 1.3.3 InGaAs微光夜视器件面临的挑战 | 第22-23页 |
| 1.4 本文研究的背景和意义 | 第23-24页 |
| 1.5 本文研究的主要工作 | 第24-26页 |
| 2 近红外InGaAs光电阴极的光电发射理论 | 第26-52页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 InGaAs光电阴极光学性质 | 第26-32页 |
| 2.2.1 InGaAs光电阴极第一性原理计算 | 第26-30页 |
| 2.2.2 InGaAs光电阴极光学模型建立 | 第30-32页 |
| 2.3 近红外InGaAs光电发射表面模型 | 第32-36页 |
| 2.3.1 偶极子模型 | 第32-35页 |
| 2.3.2 异质结模型 | 第35-36页 |
| 2.4 近红外InGaAs光电阴极光电发射过程 | 第36-43页 |
| 2.4.1 光电子激发 | 第36-38页 |
| 2.4.2 光电子向光电阴极表面输运 | 第38-39页 |
| 2.4.3 光电子逸出光电阴极表面 | 第39-43页 |
| 2.5 反射式InGaAs光电阴极量子效率模型 | 第43-51页 |
| 2.5.1 反射式光电阴极量子效率公式 | 第43-45页 |
| 2.5.2 具有薄发射层的反射式InGaAs量子效率公式 | 第45-47页 |
| 2.5.3 影响InGaAs光电阴极光电发射性能的因素 | 第47-51页 |
| 2.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 3 InGaAs/InP半导体材料的结构设计与制备工艺研究 | 第52-69页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 InGaAs/InP半导体材料结构设计 | 第52-59页 |
| 3.2.1 In_xGa_(1-x)As半导体材料的基本性质 | 第52-55页 |
| 3.2.2 InGaAs外延层的临界厚度 | 第55-59页 |
| 3.3 InGaAs/InP半导体材料的生长 | 第59-60页 |
| 3.4 InGaAs光电阴极制备与评估系统 | 第60-66页 |
| 3.4.1 超高真空激活系统 | 第61-63页 |
| 3.4.2 多信息量在线控制系统 | 第63-64页 |
| 3.4.3 超高真空残气分析系统 | 第64-65页 |
| 3.4.4 表面分析系统 | 第65-66页 |
| 3.5 InGaAs/InP半导体材料的热净化研究 | 第66-68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 4 InGaAs/GaAs半导体材料结构设计与制备工艺研究 | 第69-86页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 InGaAs/GaAs半导体材料结构设计 | 第69-73页 |
| 4.2.1 InGaAs/GaAs缓冲层变掺杂结构设计 | 第69-72页 |
| 4.2.2 InGaAs/GaAs发射层变组分结构设计 | 第72-73页 |
| 4.3 InGaAs/GaAs半导体材料生长质量评估 | 第73-75页 |
| 4.3.1 半导体材料表征技术 | 第73-74页 |
| 4.3.2 InGaAs/GaAs半导体材料氩离子溅射分析 | 第74-75页 |
| 4.4 InGaAs/GaAs半导体材料的化学清洗工艺 | 第75-79页 |
| 4.5 InGaAs/GaAs半导体材料的加热净化工艺 | 第79-85页 |
| 4.5.1 加热净化处理后表面分析 | 第79-81页 |
| 4.5.2 加热净化处理中真空度变化 | 第81-85页 |
| 4.6 本章小结 | 第85-86页 |
| 5 InGaAs光电阴极性能评估 | 第86-105页 |
| 5.1 引言 | 第86页 |
| 5.2 不同制备工艺对InGaAs光电阴极性能的影响 | 第86-93页 |
| 5.2.1 不同化学清洗方法对InGaAs/GaAs光电阴极性能的影响 | 第86-89页 |
| 5.2.2 不同热净化工艺对InGaAs/GaAs光电阴极性能的影响 | 第89-90页 |
| 5.2.3 Cs、O激活对InGaAs/GaAs光电阴极性能的影响 | 第90-93页 |
| 5.3 不同发射层结构对InGaAs/GaAs光电阴极的影响 | 第93-97页 |
| 5.4 真空系统中InGaAs/GaAs光电阴极的稳定性 | 第97-102页 |
| 5.4.1 光照强度对InGaAs/GaAs光电阴极稳定性的影响 | 第98-99页 |
| 5.4.2 重新铯化后InGaAs/GaAs光电阴极稳定性 | 第99-102页 |
| 5.5 InGaAs/GaAs光电阴极性能对比 | 第102-103页 |
| 5.6 本章小结 | 第103-105页 |
| 6 结束语 | 第105-108页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第105-106页 |
| 6.2 本文创新点 | 第106-107页 |
| 6.3 有待进一步解决的问题 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-122页 |
| 附录 | 第122-123页 |
