热机偏转红外探测关键技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·外辐射概述 | 第8-9页 |
| ·红外探测技术概述 | 第9-11页 |
| ·量子型红外探测器 | 第10页 |
| ·热型红外探测器 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-16页 |
| ·国外研究状况 | 第11-14页 |
| ·国内研究现状 | 第14-16页 |
| ·本文研究工作 | 第16-17页 |
| 2 双材料微悬臂梁结构的红外成像系统 | 第17-23页 |
| ·红外探测系统结构设计 | 第17-20页 |
| ·系统成像设计和原理 | 第17-18页 |
| ·双材料梁探测机理 | 第18-20页 |
| ·FPA结构设计 | 第20-21页 |
| ·微悬臂梁红外探测器的制备方案 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 器件的制备技术 | 第23-36页 |
| ·选择材料 | 第23-24页 |
| ·牺牲层材料的选择 | 第23页 |
| ·外吸收材料和反光材料的选择 | 第23-24页 |
| ·外焦平面阵列制作 | 第24-34页 |
| ·牺牲层的制备技术 | 第24-29页 |
| ·外吸收层的制作技术 | 第29-33页 |
| ·反光层制备技术 | 第33-34页 |
| ·薄膜材料性能测试 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 氮化硅薄膜的研究 | 第36-52页 |
| ·氮化硅薄膜的基本特性 | 第36页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第36-42页 |
| ·氮化硅应力分析 | 第36-40页 |
| ·氮化硅红外吸收性能分析 | 第40-42页 |
| ·氮化硅薄膜的刻蚀研究 | 第42-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5 红外焦平面阵列的制作 | 第52-62页 |
| ·牺牲层的制备 | 第52-56页 |
| ·聚酰亚胺的图形化 | 第52-53页 |
| ·聚酰亚胺图形化工艺条件研究 | 第53-55页 |
| ·聚酰亚胺的亚胺化 | 第55-56页 |
| ·反光层的制作 | 第56-58页 |
| ·反射层的光刻工艺 | 第56-57页 |
| ·磁控溅射反光层与图形化 | 第57-58页 |
| ·红外吸收层的制作 | 第58-60页 |
| ·PECVD制备氮化硅薄膜 | 第58页 |
| ·红外吸收层的光刻工艺 | 第58-60页 |
| ·氮化硅薄膜的刻蚀 | 第60页 |
| ·牺牲层的干法刻蚀 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 6 结论 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
