| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·发光二极管的发展过程 | 第10-11页 |
| ·发光二极管的原理及其理论 | 第11-17页 |
| ·直接带隙与间接带隙 | 第12-13页 |
| ·辐射复合与非辐射复合 | 第13-14页 |
| ·同质结与异质结发光二极管 | 第14-15页 |
| ·外量子效率 | 第15-16页 |
| ·发光效率 | 第16-17页 |
| ·注入效率 | 第17页 |
| ·氮化物的基本特性 | 第17-21页 |
| ·氮化镓的结构与基本性质 | 第18-19页 |
| ·氮化铝的结构与基本性质 | 第19-20页 |
| ·氮化铟的结构与基本性质 | 第20页 |
| ·极化效应 | 第20-21页 |
| ·氮化物的生长 | 第21-28页 |
| ·生长仪器的选择 | 第21-25页 |
| ·衬底的选择 | 第25页 |
| ·成核层的生长 | 第25-26页 |
| ·氮化镓的掺杂 | 第26页 |
| ·氮化铟镓的生长 | 第26-28页 |
| ·研究意义及内容 | 第28-30页 |
| 第二章 发光二极管droop效应以及器件的表征方法 | 第30-46页 |
| ·发光二极管droop效应 | 第30-37页 |
| ·缺陷机制 | 第31-33页 |
| ·俄歇复合机制 | 第33-35页 |
| ·电子溢流 | 第35-37页 |
| ·器件的表征方法 | 第37-46页 |
| ·高分辨率X射线衍射仪 | 第38-39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第39-40页 |
| ·透射电子显微镜TEM | 第40-41页 |
| ·原子力显微镜 | 第41-42页 |
| ·光谱仪 | 第42-44页 |
| ·半导体分析仪 | 第44-46页 |
| 第三章 不同成核层对发光二极管光电特性的影响 | 第46-58页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验方法与过程 | 第47-49页 |
| ·结果与分析 | 第49-56页 |
| ·总结 | 第56-58页 |
| 第四章 量子阱厚度对发光二极管的影响 | 第58-68页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验过程 | 第58-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 第五章 TMIn预处理改善GaN/InGaN的界面特性以及droop效应 | 第68-86页 |
| ·Pre-TMIn处理对蓝光LED的影响 | 第68-75页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·实验过程 | 第68-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| ·Pre-TMIn处理对绿光LED的影响 | 第75-86页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·实验过程 | 第75-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-85页 |
| ·小结 | 第85-86页 |
| 第六章 ZnO纳米线改善蓝光发光二极管出光效率的研究 | 第86-96页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·实验过程 | 第86-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-94页 |
| ·ZnO纳米棒的微观结构 | 第87-90页 |
| ·LED芯片的光电特性 | 第90-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第七章 总结与展望 | 第96-100页 |
| ·总结 | 第96-97页 |
| ·展望 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-118页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
