| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·铝酸锶材料概述 | 第8-9页 |
| ·SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉荧光粉的研究现状 | 第9-16页 |
| ·SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉荧光粉的制备方法 | 第9-12页 |
| ·稀土离子Eu~(2+)，Dy~(3+)在铝酸锶中的发光特性及余辉机理 | 第12-16页 |
| ·掺杂稀土离子铝酸锶发光薄膜的研究现状 | 第16-22页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第16-21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第21-22页 |
| ·激光熔蒸法 | 第22页 |
| ·本文研究意义与内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方法和表征 | 第24-36页 |
| ·实验材料 | 第24页 |
| ·实验设备及原理 | 第24-29页 |
| ·实验用主要设备 | 第24-27页 |
| ·射频磁控溅射技术原理及特点 | 第27-29页 |
| ·工艺流程与实验步骤 | 第29-33页 |
| ·实验技术路线 | 第29-30页 |
| ·荧光粉的制备过程 | 第30页 |
| ·陶瓷靶材的制备过程 | 第30-31页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第31-33页 |
| ·薄膜的热处理过程 | 第33页 |
| ·样品的表征方法 | 第33-36页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第34页 |
| ·差热分析和热重分析 | 第34页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第34页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第34-35页 |
| ·荧光光谱仪 | 第35-36页 |
| 第三章 SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光粉和陶瓷靶材的制备及性能表征 | 第36-48页 |
| ·助熔剂对荧光粉的烧成制度的影响 | 第36-39页 |
| ·添加助熔剂的SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光粉的差热分析 | 第37-38页 |
| ·不加助熔剂的SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光粉的差热分析 | 第38-39页 |
| ·SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光粉的结构分析 | 第39-40页 |
| ·烧结温度和保温时间对陶瓷靶材致密度的影响 | 第40-43页 |
| ·铕离子的变价对SrAl_2O_4:Eu,Dy陶瓷的发光性能的影响 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)发光薄膜制备工艺探索 | 第48-59页 |
| ·溅射参数对SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)薄膜的影响 | 第48-55页 |
| ·低功率远距离下沉积薄膜 | 第48-50页 |
| ·XPS分析 | 第50-52页 |
| ·高功率近距离下沉积薄膜 | 第52-55页 |
| ·热处理工艺对薄膜光致发光性能的影响 | 第55-58页 |
| ·薄膜样品的光致发光性能 | 第55-56页 |
| ·硅片的光致发光性能 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第65-66页 |
