基于晶体管电路的单粒子翻转效应的模拟与验证
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·单粒子翻转效的应研究历史 | 第10页 |
| ·单粒子翻转效的应研究现状 | 第10-13页 |
| ·单粒子翻转效应的研究方法 | 第11页 |
| ·国外研究现状 | 第11页 |
| ·国内研究现状 | 第11-13页 |
| ·论文结构 | 第13-14页 |
| 第2章 单粒子翻转机理与ISE-TCAD软件介绍 | 第14-22页 |
| ·单粒子翻转效应机理 | 第14-15页 |
| ·电路等效模型 | 第15-16页 |
| ·器件单粒子翻转效应的评估 | 第16页 |
| ·ISE-TCAD软件介绍 | 第16-22页 |
| ·ISE-TCAD软件工具介绍 | 第17-18页 |
| ·仿真过程中的基本方程 | 第18-19页 |
| ·重离子模型Heayions | 第19-22页 |
| 第3章 NMOS管结构及电学特性建模 | 第22-35页 |
| ·绘制NMOS管 | 第22-23页 |
| ·将NMOS管参杂并生成网格 | 第23-24页 |
| ·提取NMOS管的转移特性曲线和阈值电压 | 第24-27页 |
| ·NMOS管的C-V特性 | 第27-30页 |
| ·NMOS管的瞬态特性 | 第30-35页 |
| 第4章 RAM电路的单粒子翻转效应仿真 | 第35-54页 |
| ·重离子的LET值对NMOS管的漏极电流的影响 | 第35-41页 |
| ·重离子的LET值对RAM电路的影响 | 第41-47页 |
| ·外接电压VDD对单粒子翻转效应的影响 | 第47-50页 |
| ·重离子射入角度对单粒子翻转效应的影响 | 第50-54页 |
| 第5章 抗单粒子翻转效应的措施 | 第54-61页 |
| ·电路设计加固法 | 第54-55页 |
| ·EDAC检错与纠错 | 第54页 |
| ·三模冗余 | 第54-55页 |
| ·擦洗 | 第55页 |
| ·特殊工艺加固法 | 第55-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
