| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 目录 | 第12-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-52页 |
| 1 分子印迹技术 | 第20-26页 |
| ·分子印迹技术的原理及特点 | 第21页 |
| ·影响分子印迹聚合物印迹效果的几个因素 | 第21-26页 |
| ·模板分子 | 第22-23页 |
| ·功能单体 | 第23-25页 |
| ·交联剂 | 第25-26页 |
| 2 分子印迹电化学传感器 | 第26-35页 |
| ·分子印迹传感器的工作原理 | 第26-27页 |
| ·分子印迹电化学传感器的制备方法与性能参数 | 第27-31页 |
| ·分子印迹电化学传感器的制备方法 | 第27-30页 |
| ·影响分子印迹电化学传感器性能的因素 | 第30-31页 |
| ·分子印迹电化学传感器的分类 | 第31-35页 |
| ·电位型传感器 | 第31-32页 |
| ·电流型传感器 | 第32-33页 |
| ·电容型传感器 | 第33-34页 |
| ·电导型传感器 | 第34-35页 |
| 3 新技术与新材料在分子印迹电化学传感器中的应用 | 第35-39页 |
| ·纳米材料 | 第35-37页 |
| ·溶胶-凝胶(sol-gel)无机膜 | 第37-38页 |
| ·自组装技术 | 第38-39页 |
| 4 分子印迹电化学传感器现存问题与发展趋势 | 第39-40页 |
| 5 论文研究目的和内容 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-52页 |
| 第二章 基于石墨烯修饰的青蒿素分子印迹传感器的研制与应用 | 第52-71页 |
| 1 前言 | 第52-54页 |
| 2 实验部分 | 第54-56页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第54页 |
| ·样品溶液的制备 | 第54-55页 |
| ·石墨烯的制备 | 第55页 |
| ·石墨烯修饰电极(G/GCE)的制备 | 第55页 |
| ·分子印迹及非印迹敏感膜修饰电极的制备 | 第55-56页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第56页 |
| 3 结果与讨论 | 第56-66页 |
| ·MIM/G/GCE制备条件的优化 | 第56-60页 |
| ·功能单体的选择 | 第56-58页 |
| ·模板、功能单体和交联剂用量的优化 | 第58-59页 |
| ·洗脱液和洗脱时间的优化 | 第59-60页 |
| ·石墨烯及ART印迹膜的表征 | 第60-61页 |
| ·ART-MIM/G/GCE的电化学性能 | 第61-62页 |
| ·平衡时间的选择 | 第62-63页 |
| ·MIM/G/GCE电极的线性范围与检出限 | 第63-65页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第65-66页 |
| ·实际样品分析 | 第66页 |
| 4 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第三章 基于石墨烯/纳米金颗粒修饰的秋水仙碱分子印迹传感器的研制与应用 | 第71-91页 |
| 1 前言 | 第71-72页 |
| 2 实验部分 | 第72-75页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第72-73页 |
| ·金纳米颗粒的制备 | 第73页 |
| ·石墨烯/Au纳米颗粒修饰电极的制备 | 第73页 |
| ·分子印迹及非印迹敏感膜修饰电极的制备 | 第73-74页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第74页 |
| ·样品溶液的制备 | 第74-75页 |
| 3 结果与讨论 | 第75-87页 |
| ·石墨烯/金纳米颗粒及COLC印迹膜的表征 | 第75-76页 |
| ·COLC-MIM/G/AuNPs/GCE的电化学性能 | 第76-77页 |
| ·COLC在修饰电极上的电化学行为 | 第77-79页 |
| ·实验条件的优化 | 第79-83页 |
| ·功能单体的选择 | 第79-80页 |
| ·功能单体和交联剂用量的优化 | 第80-81页 |
| ·洗脱液和洗脱时间的优化 | 第81-82页 |
| ·支持电解液和平衡时间的选择 | 第82-83页 |
| ·MIM/G/AuNPs/GCE的线性范围与检出限 | 第83-85页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第85-86页 |
| ·实际样品分析 | 第86-87页 |
| 4 结论 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第四章 鬼臼毒素分子印迹电化学传感器的研制及应用 | 第91-109页 |
| 1 前言 | 第91-92页 |
| 2 实验部分 | 第92-94页 |
| ·仪器与试剂 | 第92页 |
| ·分子印迹膜和非印迹膜修饰电极的制备 | 第92-93页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第93页 |
| ·样品溶液的制备 | 第93-94页 |
| 3 结果与讨论 | 第94-105页 |
| ·传感器制备条件的选择 | 第94-99页 |
| ·电聚合功能单体的优化 | 第94-95页 |
| ·电聚合圈数的优化 | 第95-97页 |
| ·电聚合体系pH值的优化 | 第97-98页 |
| ·单体用量的优化 | 第98-99页 |
| ·洗脱时间的优化 | 第99页 |
| ·MIM/GCE的电化学性能 | 第99-101页 |
| ·MIM/GCE测定条件的优化 | 第101-102页 |
| ·MIM/GCE的线性范围与检出限 | 第102-103页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第103-104页 |
| ·实际样品分析 | 第104-105页 |
| 4 结论 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 胆固醇分子印迹电化学传感器的研制及应用 | 第109-128页 |
| 1 前言 | 第109-110页 |
| 2 实验部分 | 第110-112页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第110-111页 |
| ·石墨烯修饰电极的制备 | 第111页 |
| ·分子印迹膜和非印迹膜修饰电极的制备 | 第111页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第111-112页 |
| 3 结果与讨论 | 第112-125页 |
| ·分子印迹聚合膜的伏安行为 | 第112-113页 |
| ·分子印迹膜的形貌与结构表征 | 第113-114页 |
| ·ChO-MIM/G/GCE的电化学性能 | 第114-116页 |
| ·印迹电极制备及应用条件 | 第116-121页 |
| ·电沉积过程中扫描速度的优化 | 第116页 |
| ·电沉积过程中扫描圈数的优化 | 第116-117页 |
| ·单体用量的优化 | 第117-118页 |
| ·洗脱时间的优化 | 第118-119页 |
| ·测定体系缓冲溶液pH值的优化 | 第119-120页 |
| ·测定过程中平衡时间的优化 | 第120-121页 |
| ·MIM/G/GCE的线性范围与检出限 | 第121-123页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第123-124页 |
| ·实际样品分析 | 第124-125页 |
| 4 结论 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-128页 |
| 第六章 原位聚合法制备离子印迹电化学传感器用于环境样中铂的测定 | 第128-149页 |
| 1 前言 | 第128-129页 |
| 2 实验部分 | 第129-132页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第129-130页 |
| ·样品溶液的制备 | 第130-131页 |
| ·离子印迹及非印迹电极的制备 | 第131页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第131-132页 |
| 3 结果与讨论 | 第132-144页 |
| ·Pt(Ⅳ)-IIM/GCE制备条件的优化 | 第132-135页 |
| ·功能单体种类的优化 | 第132-133页 |
| ·功能单体用量的优化 | 第133页 |
| ·交联剂用量的优化 | 第133-134页 |
| ·洗脱液和洗脱时间的优化 | 第134-135页 |
| ·Pt(Ⅳ)离子印迹聚合膜及Pt(Ⅳ)-IIM/GCE的表征 | 第135-139页 |
| ·Pt(Ⅳ)离子印迹聚合膜形貌与结构表征 | 第135-138页 |
| ·IIM/GCE的电化学表征 | 第138-139页 |
| ·Pt(Ⅳ)-IIM/GCE测量条件的优化 | 第139-141页 |
| ·IIM/GCE的分析特性 | 第141-143页 |
| ·i-t曲线、工作曲线与检出限 | 第141-142页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第142-143页 |
| ·实际样品分析 | 第143-144页 |
| 4 结论 | 第144页 |
| 参考文献 | 第144-149页 |
| 第七章 基于石墨烯修饰的钯离子印迹聚合膜电化学传感器的研制及应用 | 第149-169页 |
| 1 前言 | 第149-150页 |
| 2 实验部分 | 第150-152页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第150页 |
| ·样品溶液的制备 | 第150-151页 |
| ·石墨烯修饰电极的制备(G/GCE) | 第151页 |
| ·离子印迹及非印迹聚合膜修饰电极的制备(Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE) | 第151页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第151-152页 |
| 3 结果与讨论 | 第152-165页 |
| ·石墨烯修饰电极的制备与表征 | 第152-154页 |
| ·石墨烯修饰电极(G/GCE)的制备 | 第152-153页 |
| ·石墨烯修饰玻碳电极的表征 | 第153-154页 |
| ·IIM/G/GCE制备条件的优化 | 第154-158页 |
| ·功能单体种类的优化 | 第154-156页 |
| ·功能单体用量的优化 | 第156-157页 |
| ·交联剂用量的优化 | 第157-158页 |
| ·洗脱液和洗脱时间的优化 | 第158页 |
| ·Pd(Ⅱ)离子印迹聚合膜及Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE的表征 | 第158-160页 |
| ·Pd(Ⅱ)离子印迹聚合膜形貌与结构表征 | 第158-159页 |
| ·Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE的电化学表征 | 第159-160页 |
| ·Pd(Ⅱ)-IIM/G/GCE测量条件的优化 | 第160-162页 |
| ·IIM/G/GCE的分析特性 | 第162-164页 |
| ·计时曲线(i-t)、工作曲线与检出限 | 第162-163页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第163-164页 |
| ·实际样品分析 | 第164-165页 |
| 4 结论 | 第165-166页 |
| 参考文献 | 第166-169页 |
| 第八章 铑离子印迹聚合物修饰碳糊电极的制备及应用 | 第169-186页 |
| 1 引言 | 第169-170页 |
| 2 实验部分 | 第170-172页 |
| ·仪器和试剂 | 第170页 |
| ·离子印迹及非印迹聚合物的制备 | 第170-171页 |
| ·离子印迹及非印迹聚合物修饰碳糊电极的制备 | 第171页 |
| ·电化学检测条件及实验方法 | 第171页 |
| ·样品溶液的制备 | 第171-172页 |
| 3 结果与讨论 | 第172-182页 |
| ·铑离子印迹聚合物制备条件的优化 | 第172-174页 |
| ·聚合单体种类及用量的选择 | 第172-173页 |
| ·交联剂用量的优化 | 第173-174页 |
| ·IIP用量的优化 | 第174-175页 |
| ·Rh(Ⅲ)离子印迹聚合物及IIP-CPE的表征 | 第175-178页 |
| ·Rh(Ⅲ)离子印迹聚合物的表征 | 第175-176页 |
| ·IIP-CPE的电化学表征 | 第176-178页 |
| ·IIP-CPE应用条件的优化 | 第178-179页 |
| ·IIP-CPE的分析特性 | 第179-181页 |
| ·计时曲线、工作曲线与检出限 | 第179-180页 |
| ·电极的选择性、重现性与稳定性 | 第180-181页 |
| ·实际样品分析 | 第181-182页 |
| 4 结论 | 第182页 |
| 参考文献 | 第182-186页 |
| 论文发表情况 | 第186-187页 |
| 致谢 | 第187页 |
