半导体氧化物薄膜的制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·前言 | 第11页 |
| ·半导体材料 | 第11-16页 |
| ·半导体材料的基本性质 | 第12-13页 |
| ·半导体材料的分类 | 第13-14页 |
| ·半导体材料的制备方法 | 第14-16页 |
| ·薄膜材料 | 第16-20页 |
| ·薄膜材料的特性 | 第17-18页 |
| ·薄膜材料的分类 | 第18-20页 |
| ·纳米材料 | 第20-21页 |
| ·二氧化锡材料 | 第21-22页 |
| ·二氧化锡基本特征 | 第21-22页 |
| ·二氧化锡的能带结构及其光电性质 | 第22页 |
| ·二氧化钛材料 | 第22-24页 |
| ·二氧化锡基本特征 | 第23页 |
| ·二氧化钛的能带结构 | 第23-24页 |
| ·氧化铟材料 | 第24-25页 |
| ·氧化铟基本特征 | 第24页 |
| ·氧化铟合成近况 | 第24-25页 |
| 第二章 二氧化锡薄膜材料的制备及其性能研究 | 第25-43页 |
| ·实验部分 | 第25-29页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第25-26页 |
| ·二氧化锡薄膜的制备及表征 | 第26-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-41页 |
| ·探讨二氧化锡晶种薄膜的制备条件 | 第29-31页 |
| ·探讨二氧化锡薄膜溶剂热生长的条件 | 第31-35页 |
| ·成分分析 | 第35-36页 |
| ·形貌分析 | 第36-38页 |
| ·二氧化锡薄膜的气敏性质研究 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 二氧化钛薄膜材料的制备及其性能研究 | 第43-51页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·实验前准备 | 第43页 |
| ·制备二氧化钛薄膜 | 第43-44页 |
| ·二氧化钛薄膜的表征 | 第44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·探讨二氧化钛薄膜的制备条件 | 第44页 |
| ·涂膜方法的探究 | 第44-45页 |
| ·二氧化钛薄膜的成分分析 | 第45-47页 |
| ·二氧化钛薄膜的光催化性能分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 氧化铟材料的制备及其生长机理研究 | 第51-61页 |
| ·实验部分 | 第51-52页 |
| ·氧化铟的制备 | 第51-52页 |
| ·氧化铟的表征 | 第52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-58页 |
| ·氧化铟制备条件的探讨 | 第52-53页 |
| ·成分分析 | 第53-54页 |
| ·形貌分析 | 第54-56页 |
| ·生长机理分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 附录 | 第73页 |
