| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·OFETs 和有机半导体薄膜 | 第12-17页 |
| ·OFETs 的结构和工作原理 | 第12-14页 |
| ·有机半导体薄膜的真空沉积 | 第14-16页 |
| ·有机分子束外延 | 第14-15页 |
| ·有机气相沉积 | 第15-16页 |
| ·弱外延生长 | 第16页 |
| ·OFETs 对有机半导体薄膜形态和分子位相的要求 | 第16-17页 |
| ·石墨烯和石墨烯 FETs | 第17-23页 |
| ·石墨烯的结构和电子性质 | 第17-19页 |
| ·石墨烯 FETs 的发展和结构 | 第19-20页 |
| ·石墨烯用于 FETs 的优势和存在的问题 | 第20-21页 |
| ·石墨烯带隙打开的研究现状 | 第21-23页 |
| ·本文研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 盘状酞菁在 OVD 过程中初始生长阶段的分子位相转变 | 第25-47页 |
| ·引言 | 第25-27页 |
| ·热力学模型 | 第27-30页 |
| ·模拟方法 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-45页 |
| ·热力学分析 | 第31-35页 |
| ·单个 H2Pc 分子在 a-SiO2基底上的 MD 模拟 | 第35-36页 |
| ·多个 H2Pc 分子在 a-SiO2基底上的 MD 模拟 | 第36-41页 |
| ·位相转变机制 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第3章 通过有机分子和基底相反双掺杂的 BLG 的带隙打开 | 第47-65页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·计算方法 | 第48-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-63页 |
| ·DMPD、TCNE 吸附在自由的 BLG 上 | 第50-54页 |
| ·BLG 在 a-SiO2-p 和 C-SiC-n 基底上 | 第54-57页 |
| ·DMPD（TCNE）在 a-SiO2-p（C-SiC-n）基底支撑的 BLG 上 | 第57-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第4章 双掺杂 BLG 以用于单栅极场效应晶体管 | 第65-83页 |
| ·引言 | 第65-67页 |
| ·计算方法 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-80页 |
| ·小结 | 第80-83页 |
| 第5章 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-99页 |
| 攻博期间发表及待发表论文 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
