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氧化物中自旋极化材料与器件的研究

目录第1-6页
CONTENTS第6-8页
摘要第8-10页
ABSTRACT第10-13页
第一章 绪论第13-32页
 第一节 自旋电子学的兴起和意义第13-14页
 第二节 自旋极化材料第14-19页
     ·铁磁金属第15页
     ·半金属第15-16页
     ·磁性半导体第16-19页
 第三节 自旋电子器件原理第19-27页
     ·巨磁电阻(GMR)第19-20页
     ·隧穿磁电阻(TMR)第20-23页
     ·自旋转移力矩(STT)第23-24页
     ·自旋过滤隧道结第24页
     ·多场调控隧道结第24-26页
     ·自旋电动势第26-27页
 第四节 本文的研究思路和内容第27-29页
 参考文献第29-32页
第二章 材料与器件制备技术和测试方法第32-41页
 第一节 样品的生长与制备技术第32-36页
     ·磁控溅射仪第32-33页
     ·脉冲激光沉积技术第33-35页
     ·金属掩模法第35-36页
 第二节 样品分析测试技术和设备第36-40页
     ·X射线衍射第36-37页
     ·X射线光电子能谱第37页
     ·原子力显微镜第37-38页
     ·交流梯度磁强计第38-39页
     ·超导量子干涉第39-40页
     ·自主搭建的低温磁性输运测量平台第40页
 参考文献第40-41页
第三章 Zn_(1-x)Co_xO浓磁半导体及其隧道结的自旋极化研究第41-51页
 第一节 引言第41页
 第二节 样品的制备和输运测量方法第41-43页
 第三节 样品的电子输运和磁性性质第43-48页
     ·Zn_(0.32)Co_(0.68)O_(1-v)磁性隧道结与自旋极化研究第43-46页
     ·Zn_(0.32)Co_(0.68)O_(1-v)的反常霍尔效应与自旋极化研究第46-47页
     ·Zn_(0.32_Co_(0.68)O_(1-v)的自旋相关变程跃迁磁电阻与自旋极化研究第47-48页
 第四节 总结第48-49页
 参考文献第49-51页
第四章 自组装Fe_3O_4纳米柱的In_2O_3外延薄膜的制备与性能研究第51-60页
 第一节 引言第51页
 第二节 材料的制备方法第51-52页
 第三节 材料的结构和磁电光性质测量第52-57页
 第四节 总结第57-58页
 参考文献第58-60页
第五章 基于CoO-ZnO复合势垒的非易失多态存储器的制备研究第60-71页
 第一节 引言第60页
 第二节 隧道结的的制备和表征第60-62页
 第三节 隧道结的输运性质第62-65页
 第四节 隧道结的电致阻变机理第65-68页
 第五节 总结第68-69页
 参考文献第69-71页
第六章 Co/CoO-ZnO/Co隧道结中的自旋相关电压第71-78页
 第一节 引言第71页
 第二节 样品的制备和输运的测量第71-76页
 第三节 自旋相关电压的产生机理讨论第76-77页
 第四节 总结第77页
 参考文献第77-78页
第七章 工作总结与展望第78-80页
 第一节 论文的主要内容和结论第78-79页
 第二节 论文的特色与创新第79页
 第三节 展望第79-80页
致谢第80-81页
博士学习期间发表的论文第81-82页
博士期间参加的学术会议第82-83页
附录第83-97页
学位论文评阅及答辩情况表第97页

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