目录 | 第1-6页 |
CONTENTS | 第6-8页 |
摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-13页 |
第一章 绪论 | 第13-32页 |
第一节 自旋电子学的兴起和意义 | 第13-14页 |
第二节 自旋极化材料 | 第14-19页 |
·铁磁金属 | 第15页 |
·半金属 | 第15-16页 |
·磁性半导体 | 第16-19页 |
第三节 自旋电子器件原理 | 第19-27页 |
·巨磁电阻(GMR) | 第19-20页 |
·隧穿磁电阻(TMR) | 第20-23页 |
·自旋转移力矩(STT) | 第23-24页 |
·自旋过滤隧道结 | 第24页 |
·多场调控隧道结 | 第24-26页 |
·自旋电动势 | 第26-27页 |
第四节 本文的研究思路和内容 | 第27-29页 |
参考文献 | 第29-32页 |
第二章 材料与器件制备技术和测试方法 | 第32-41页 |
第一节 样品的生长与制备技术 | 第32-36页 |
·磁控溅射仪 | 第32-33页 |
·脉冲激光沉积技术 | 第33-35页 |
·金属掩模法 | 第35-36页 |
第二节 样品分析测试技术和设备 | 第36-40页 |
·X射线衍射 | 第36-37页 |
·X射线光电子能谱 | 第37页 |
·原子力显微镜 | 第37-38页 |
·交流梯度磁强计 | 第38-39页 |
·超导量子干涉 | 第39-40页 |
·自主搭建的低温磁性输运测量平台 | 第40页 |
参考文献 | 第40-41页 |
第三章 Zn_(1-x)Co_xO浓磁半导体及其隧道结的自旋极化研究 | 第41-51页 |
第一节 引言 | 第41页 |
第二节 样品的制备和输运测量方法 | 第41-43页 |
第三节 样品的电子输运和磁性性质 | 第43-48页 |
·Zn_(0.32)Co_(0.68)O_(1-v)磁性隧道结与自旋极化研究 | 第43-46页 |
·Zn_(0.32)Co_(0.68)O_(1-v)的反常霍尔效应与自旋极化研究 | 第46-47页 |
·Zn_(0.32_Co_(0.68)O_(1-v)的自旋相关变程跃迁磁电阻与自旋极化研究 | 第47-48页 |
第四节 总结 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-51页 |
第四章 自组装Fe_3O_4纳米柱的In_2O_3外延薄膜的制备与性能研究 | 第51-60页 |
第一节 引言 | 第51页 |
第二节 材料的制备方法 | 第51-52页 |
第三节 材料的结构和磁电光性质测量 | 第52-57页 |
第四节 总结 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第五章 基于CoO-ZnO复合势垒的非易失多态存储器的制备研究 | 第60-71页 |
第一节 引言 | 第60页 |
第二节 隧道结的的制备和表征 | 第60-62页 |
第三节 隧道结的输运性质 | 第62-65页 |
第四节 隧道结的电致阻变机理 | 第65-68页 |
第五节 总结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-71页 |
第六章 Co/CoO-ZnO/Co隧道结中的自旋相关电压 | 第71-78页 |
第一节 引言 | 第71页 |
第二节 样品的制备和输运的测量 | 第71-76页 |
第三节 自旋相关电压的产生机理讨论 | 第76-77页 |
第四节 总结 | 第77页 |
参考文献 | 第77-78页 |
第七章 工作总结与展望 | 第78-80页 |
第一节 论文的主要内容和结论 | 第78-79页 |
第二节 论文的特色与创新 | 第79页 |
第三节 展望 | 第79-80页 |
致谢 | 第80-81页 |
博士学习期间发表的论文 | 第81-82页 |
博士期间参加的学术会议 | 第82-83页 |
附录 | 第83-97页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第97页 |