P型半导体Si基片上制备N型氧化锌薄膜构成p-n结
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·ZnO 的基本理论 | 第10-15页 |
| ·ZnO 的结构 | 第10-14页 |
| ·ZnO 的特性 | 第14-15页 |
| ·ZnO 的掺杂研究 | 第15-16页 |
| ·ZnO 本证缺陷 | 第15页 |
| ·ZnO 的n 型掺杂 | 第15-16页 |
| ·ZnO 的p 型掺杂 | 第16页 |
| ·ZnO 的应用与主要问题 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的应用 | 第16-17页 |
| ·ZnO的主要问题 | 第17页 |
| ·p-n 结的特性 | 第17-18页 |
| ·本文研究意义及内容 | 第18-20页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备与表征 | 第20-29页 |
| ·ZnO 的制备方法 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射 | 第20页 |
| ·分子束外延 | 第20-21页 |
| ·本文运用的溶胶-凝胶方法 | 第21-25页 |
| ·溶胶-凝胶法原理 | 第21-22页 |
| ·薄膜的制备 | 第22-25页 |
| ·样品的检测与表征 | 第25-29页 |
| ·X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| ·四探针测试仪 | 第27-29页 |
| 第三章 制备条件对薄膜性能的影响 | 第29-43页 |
| ·样品制备 | 第29-30页 |
| ·铝离子掺杂量对薄膜的影响 | 第30-34页 |
| ·铝离子掺浓度对 AZO 薄膜电结构的影响 | 第30-33页 |
| ·铝掺杂量对 AZO 薄膜电学性能的影响 | 第33-34页 |
| ·预处理温度对 AZO 薄膜性能的影响 | 第34-38页 |
| ·预处理温度对 AZO 薄膜结构的影响 | 第34-37页 |
| ·预处理温度对 AZO 薄膜电性能的影响 | 第37-38页 |
| ·退火温度对 AZO 薄膜性能的影响 | 第38-42页 |
| ·退火温度对 AZO 薄膜微观结构的影响 | 第38-41页 |
| ·退火温度对 AZO 薄膜光电性能的的影响 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 在p 型半导体 Si 衬底上制备薄膜 | 第43-50页 |
| ·衬底材料选择 | 第43-44页 |
| ·在si 衬底上制备薄膜 | 第44-45页 |
| ·样品检测及结果 | 第45-50页 |
| ·微观形貌 | 第45-47页 |
| ·电学性能 | 第47页 |
| ·p-n 特性 | 第47-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 在学研究成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
