| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题目的与意义 | 第7-9页 |
| ·InP 基 HBT 的发展现状与趋势 | 第9-10页 |
| ·InP 器件的仿真模型研究现状 | 第10-12页 |
| ·本文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 InP 基 HBT 仿真模型分析 | 第13-27页 |
| ·HBT 物理模型及材料参数 | 第13-23页 |
| ·漂移扩散模型 | 第13-14页 |
| ·流体动力学模型 | 第14-15页 |
| ·迁移率模型 | 第15-21页 |
| ·产生复合模型 | 第21-23页 |
| ·边界条件和初值选取 | 第23-24页 |
| ·载流子浓度的边界条件 | 第23-24页 |
| ·电势的边界条件 | 第24页 |
| ·载流子温度的边界条件 | 第24页 |
| ·初值选取 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-27页 |
| 第三章 异质结特性仿真研究 | 第27-37页 |
| ·异质结结构原理 | 第27-28页 |
| ·异质结能带结构 | 第28-30页 |
| ·热电子发射效应 | 第30-31页 |
| ·隧穿效应 | 第31-33页 |
| ·异质结 I-V 特性 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-37页 |
| 第四章 DHBT 器件仿真特性研究 | 第37-49页 |
| ·直流特性分析 | 第38-42页 |
| ·击穿特性分析 | 第42-45页 |
| ·交流特性分析 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 研究总结 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第57-59页 |
| 附录 A InP 材料参数和模型参数 | 第59-60页 |
| 附录 B In0.47 Ga0.53As 材料参数和模型参数 | 第60-61页 |
| 附录 C In0.73 Ga0.27As0.58P0.42材料参数和模型参数 | 第61-62页 |