| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现况及发展趋势 | 第12-16页 |
| ·本文的主要研究内容及组织结构 | 第16-19页 |
| 2 SRAM数据残留的物理机制 | 第19-39页 |
| ·半导体物理与器件基础理论 | 第19-31页 |
| ·SRAM受到的物理攻击 | 第31-32页 |
| ·数据残留的物理实质 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 3 安全SRAM的系统架构及关键安全电路研究与设计 | 第39-54页 |
| ·传统SRAM的系统架构 | 第39-46页 |
| ·基于清零方式的安全SRAM系统架构 | 第46-48页 |
| ·基于改写方式的安全SRAM系统架构 | 第48-51页 |
| ·低功耗掉电检测和低损耗电源选择电路 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 4 片上电源系统 | 第54-63页 |
| ·片上能量获取、存储、转换系统的架构 | 第54-55页 |
| ·能量存储元件的选择与设计 | 第55-58页 |
| ·掉电模式下线性调整器 | 第58-61页 |
| ·片上电源系统能效模型及设计策略 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 5 高效率电荷泵升压电路的关键技术研究 | 第63-78页 |
| ·电荷泵电参数模型 | 第63-67页 |
| ·高效率时钟优化策略 | 第67-74页 |
| ·一种新颖的高效率电荷泵升压电路 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 6 基于安全策略SRAM的实现 | 第78-100页 |
| ·SRAM核的设计 | 第78-82页 |
| ·片上电源 | 第82-94页 |
| ·安全SRAM功能验证 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 7 总结和展望 | 第100-103页 |
| ·总结 | 第100-101页 |
| ·展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-113页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间发表论文及专利 | 第113-115页 |
| 附录Ⅱ 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第115页 |