| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-27页 |
| ·射频 SiGe HBT 的发展和现状 | 第13-17页 |
| ·SiGe HBT 超宽带低噪声放大器的研究现状与设计技术 | 第17-23页 |
| ·研究现状 | 第17-19页 |
| ·设计技术 | 第19-23页 |
| ·本论文课题来源、主要工作及创新点 | 第23-27页 |
| 第2章 SiGe HBT的射频噪声理论研究 | 第27-39页 |
| ·涵括射频关联噪声的 SiGe HBT 新型噪声模型 | 第27-31页 |
| ·Z 参数提取噪声参量法 | 第31-34页 |
| ·噪声模型与 SiGe HBT 实验结果的比较 | 第34-36页 |
| ·射频 SiGe HBT 的最小噪声系数与频率、集电极电流的相关性 | 第36-37页 |
| ·最小噪声系数与频率的相关性 | 第36页 |
| ·最小噪声系数与集电极电流的相关性 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 射频 SiGe HBT的设计、制造和测试分析 | 第39-63页 |
| ·平面结构射频 SiGe HBT 的结构参数设计 | 第39-43页 |
| ·纵向结构的参数设计 | 第40-42页 |
| ·横向结构的参数设计 | 第42-43页 |
| ·射频 SiGe HBT 的制造工艺流程 | 第43-50页 |
| ·射频 SiGe HBT 的测试与分析 | 第50-61页 |
| ·基本直流参数测试 | 第50-53页 |
| ·频率参数测试 | 第53-54页 |
| ·噪声测试与 Z 参数法提取的实测噪声参量分析 | 第54-61页 |
| ·发射极条长、条宽对噪声系数的影响 | 第55-57页 |
| ·发射极-基极条间距对噪声系数的影响 | 第57-58页 |
| ·基极条数对噪声系数的影响 | 第58-60页 |
| ·频率、集电极电流对最小噪声系数的影响 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 新噪声模型对 C波段 SiGe HBT射频低噪声放大器设计的影响 | 第63-89页 |
| ·低噪声放大器的基本理论 | 第63-69页 |
| ·二端口网络和 S 参数 | 第63-64页 |
| ·放大器的噪声系数 | 第64-66页 |
| ·放大器的增益和增益平坦度 | 第66-68页 |
| ·放大器的阻抗匹配和 Smith 圆图 | 第68页 |
| ·放大器的稳定性判定条件 | 第68-69页 |
| ·C 波段 SiGe HBT 射频低噪声放大器电路的拓扑结构与噪声匹配和阻抗匹配的设计 | 第69-79页 |
| ·放大器电路拓扑结构的选取 | 第70-72页 |
| ·噪声匹配设计 | 第72-75页 |
| ·输入共轭阻抗匹配设计 | 第75-77页 |
| ·同步实现噪声匹配与输入单端阻抗匹配设计 | 第77-79页 |
| ·新噪声模型对 C 波段 SiGe HBT Cascode 射频低噪声放大器同步实现噪声匹配与双端阻抗匹配设计的影响 | 第79-87页 |
| ·对采用电压偏置的射频低噪声放大器设计的影响 | 第80-84页 |
| ·对采用电流偏置的射频低噪声放大器设计的影响 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 高增益、小面积 SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计 | 第89-116页 |
| ·典型的超宽带放大器电路拓扑结构 | 第89-91页 |
| ·差分式放大器 | 第89-90页 |
| ·平衡式放大器 | 第90-91页 |
| ·负反馈式放大器 | 第91页 |
| ·超宽带低噪声放大器增益和增益平坦度的改善技术研究 | 第91-97页 |
| ·达林顿对的增益改善技术 | 第92-93页 |
| ·旁路电抗元件补偿的增益平坦度改善技术 | 第93-97页 |
| ·高增益、小面积的单一电阻反馈 SiGe HBT 超宽带低噪声放大器设计 | 第97-99页 |
| ·高增益、小面积的新型复合电阻反馈 SiGe HBT 超宽带低噪声放大器设计及优化 | 第99-109页 |
| ·偏置电路设计 | 第100-101页 |
| ·噪声系数和输入阻抗优化 | 第101-104页 |
| ·输出阻抗优化 | 第104-106页 |
| ·整体性能 | 第106-109页 |
| ·高增益、小面积的新型复合电阻反馈 SiGe HBT 超宽带低噪声放大器版图设计 | 第109-114页 |
| ·版图设计规则 | 第109-112页 |
| ·版图布局优化的主要考虑 | 第112-113页 |
| ·版图和电路性能 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第6章 高增益、小面积 SiGe HBT超宽带低噪声放大器单片集成芯片的制备与测试 | 第116-126页 |
| ·SiGe HBT 超宽带低噪声放大器单片集成芯片的制造工艺 | 第116-120页 |
| ·SiGe BiCMOS 工艺的介绍 | 第116-117页 |
| ·SiGe HBT 超宽带低噪声放大器单片集成芯片中无源元件的设计 | 第117-119页 |
| ·电阻的设计 | 第117-118页 |
| ·电容的设计 | 第118-119页 |
| ·SiGe HBT 超宽带低噪声放大器单片集成芯片的制造工艺流程 | 第119-120页 |
| ·高增益、小面积 SiGe HBT 超宽带低噪声放大器单片集成芯片的测试与分析 | 第120-124页 |
| ·本章小结 | 第124-126页 |
| 主要结论 | 第126-129页 |
| 参考文献 | 第129-137页 |
| 攻读博士期间所发表的学术论文 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
