| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·OEIC的概念、发展及应用 | 第10-11页 |
| ·光接收机 | 第11-13页 |
| ·光探测器 | 第13-15页 |
| ·前置放大器 | 第15-16页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 HBT的基本理论 | 第18-27页 |
| ·HBT发展概况 | 第18-19页 |
| ·HBT的原理简介 | 第19-21页 |
| ·HBT的优越性 | 第20页 |
| ·HBT与场效应晶体管(FET)的比较 | 第20-21页 |
| ·衡量HBT器件特性的基本参量 | 第21-23页 |
| ·开启(turn-on)电压 | 第21-22页 |
| ·集电极-发射极补偿(offset)电压 | 第22页 |
| ·击穿(breakdown)电压 | 第22页 |
| ·增益(Current Gain) | 第22页 |
| ·截止频率f_T和最高振荡频率f_(max) | 第22-23页 |
| ·HBT参数提取 | 第23-24页 |
| ·用于HBT器件的材料体系 | 第24-25页 |
| ·HBT工艺研究进展 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 InP基HBT的等效电路仿真 | 第27-38页 |
| ·InP基HBT器件结构及参数提取 | 第27-32页 |
| ·HBT的参数对f_T和f_(max)的影响 | 第32-34页 |
| ·负载R_L对f_T和f_(max)的影响 | 第33页 |
| ·偏压V_(BE)的变化对f_T和f_(max)的影响 | 第33-34页 |
| ·光接收机的前端放大电路仿真 | 第34-37页 |
| ·跨阻R_f对f_T和f_(max)的影响 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 APD的基本理论 | 第38-49页 |
| ·光电检测器 | 第38-43页 |
| ·PN结的光电效应 | 第39-40页 |
| ·波长响应(光谱特性) | 第40-41页 |
| ·光电转换效率 | 第41-42页 |
| ·响应速度 | 第42-43页 |
| ·暗电流 | 第43页 |
| ·APD工作原理 | 第43-44页 |
| ·APD的结构 | 第44-45页 |
| ·APD的平均雪崩增益 | 第45-46页 |
| ·APD的过剩噪声 | 第46-47页 |
| ·APD的暗电流 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第五章 InGaAs/InP APD的后工艺制备 | 第49-62页 |
| ·APD器件优化设计 | 第49-50页 |
| ·InP基APD器件的材料生长结构 | 第50页 |
| ·InP基APD器件制备 | 第50-57页 |
| ·InP基APD器件测试 | 第57-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 附录 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71页 |