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碲化镉及相关化合物多晶薄膜与碲化镉太阳电池研究

中文摘要第1-8页
英文摘要第8-11页
第一章 绪论第11-35页
 1.1 体太阳电池研究进展第12-14页
  1.1.1 Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体太阳电池第12页
  1.1.2 晶体硅太阳电池第12-14页
 1.2 薄膜太阳电池研究进展第14-22页
  1.2.1 非晶硅太阳电池第15-16页
  1.2.2 薄膜(多晶、微晶)硅太阳电池第16-17页
  1.2.3 铜铟硒多晶薄膜太阳电池第17-18页
  1.2.4 CdTe多晶薄膜太阳电池第18-20页
  1.2.5 有机半导体薄膜太阳电池第20-22页
 1.3 高效CdTe多晶薄膜太阳电池制备及结构设计第22-27页
  1.3.1 近空间升华技术及CdTe多晶薄膜制备第22-23页
  1.3.2 薄膜后处理及CdS/CdTe界面互扩散第23-25页
  1.3.3 背接触层制备与欧姆特性背电极的获得第25-26页
  1.3.4 器件物理研究及结构设计第26-27页
 1.4 国内薄膜电池研究状况及本文目的第27-28页
 参考文献第28-35页
第二章 CdTe多晶薄膜的制备、后处理及性质表征第35-59页
 2.1 引言第35-36页
 2.2 近空间升华制备及沉积后处理第36-49页
  2.2.1 近空间升华系统简述第36-37页
  2.2.2 近空间升华原理第37-38页
  2.2.3 CdTe多晶薄膜的制备第38-48页
  2.2.4 CdTe多晶薄膜沉积后处理第48-49页
 2.3 CdTe多晶薄膜的电学性质第49-53页
 2.4 CdTe多晶薄膜的光学性质第53-56页
  2.4.1 基本理论第53-54页
  2.4.2 实验及结果第54-56页
 2.5 小结第56页
 参考文献第56-59页
第三章 ZnTe(ZnTe:Cu)多晶薄膜制备及性质表征第59-81页
 3.1 引言第59-60页
 3.2 ZnTe(ZnTe:Cu)多晶薄膜的制备第60-63页
 3.3 ZnTe(ZnTe:Cu)多晶薄膜的光学、电学性质第63-67页
  3.3.1 ZnTe:Cu的光学性质第63-64页
  3.3.2 ZnTe:Cu薄膜的电学性质第64-67页
 3.4 ZnTe:Cu多晶薄膜的反常电导行为机理第67-77页
  3.4.1 多晶薄膜的电导模型第67-72页
  3.4.2 ZnTe:Cu多晶薄膜的反常电导行为机理第72-77页
 3.5 小结第77-79页
 参考文献第79-81页
第四章 CdTe多晶薄膜太阳电池制备及器件特性第81-108页
 4.1 引言第81-83页
 4.2 太阳电池及其工作原理第83-87页
  4.2.1 光伏效应第83-84页
  4.2.2 pn结伏安特性第84-85页
  4.2.3 太阳电池及其性能参量第85-87页
 4.3 CdTe多晶薄膜太阳电池制备第87-101页
  4.3.1 CdS薄膜后处理第87-95页
  4.3.2 CdTe的CSS制备条件与电池性能第95-97页
  4.3.3 ZnTe/ZnTe:Cu结构、后处理与电池的性能第97-100页
  4.3.4 高转换效率的CdTe太阳电池第100-101页
 4.4 CdTe多晶薄膜太阳电池器件特性第101-105页
  4.4.1 I-V特性第102-103页
  4.4.2 C-V特性及光谱响应第103-105页
 4.5 小结第105-106页
 参考文献第106-108页
第五章 CdTe多晶薄膜太阳电池物理模型及电池新结构第108-134页
 5.1 引言第108页
 5.2 太阳电池基本方程及求解第108-117页
  5.2.1 太阳电池基本方程第108-110页
  5.2.2 电子和空穴浓度第110页
  5.2.3 杂质能级和杂质带第110-114页
  5.2.4 载流子产生与复合第114-115页
  5.2.5 太阳电池基本方程求解第115-117页
 5.3 CdTe多晶薄膜太阳电池器件模拟第117-132页
  5.3.1 CdTe薄膜的厚度、载流子寿命及浓度第120-124页
  5.3.2 界面和过渡层第124-130页
  5.3.3 CdTe太阳电池新结构第130-132页
 5.4 小结第132-133页
 参考文献第133-134页
第六章 总结第134-138页
发表的论文及参与的科研项目第138-141页
致谢第141页

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