| 第一章 绪论 | 第1-26页 |
| 1．1 聚合物共混物相行为研究的重要性及发展趋势 | 第14-16页 |
| 1．2 聚苯乙烯／苯乙烯-丙烯腈共聚物（PS／SAN）共混体系的研究进展 | 第16-18页 |
| 1．3 剪切场中聚合物共混物相行为的研究进展 | 第18-20页 |
| 1．3．1 热力学研究 | 第18-19页 |
| 1．3．2 动力学研究 | 第19-20页 |
| 1．4 聚合物共混体系相容性研究的热力学基础 | 第20-24页 |
| 1．4．1 聚合物共混物相容性的热力学基础 | 第20-22页 |
| 1．4．2 聚合物共混体系的相图 | 第22-24页 |
| 1．5 本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 研究聚合物共混体系相行为的光散射系统 | 第26-46页 |
| 2．1 光散射理论基础 | 第28-35页 |
| 2．2 光散射系统 | 第35-39页 |
| 2．2．1 光源 | 第36-37页 |
| 2．2．2 光学测量系统及光信号采集系统 | 第37页 |
| 2．2．3 剪切单元 | 第37-38页 |
| 2．2．4 温度控制部分 | 第38页 |
| 2．2．5 附件部分 | 第38-39页 |
| 2．3 系统工作参数 | 第39-40页 |
| 2．3．1 背景光的扣除 | 第39页 |
| 2．3．2 散射光强、散射角的校正 | 第39-40页 |
| 2．4 系统的图样采集及数据处理软件 | 第40-43页 |
| 2．4．1 图象采集 | 第40-41页 |
| 2．4．2 数据处理 | 第41-42页 |
| 2．4．3 其它处理软件 | 第42页 |
| 2．4．4 处理系统的特点 | 第42-43页 |
| 2．5 设备应用示例 | 第43-45页 |
| 2．5．1 反应诱导相分离 | 第43-44页 |
| 2．5．2 结晶 | 第44-45页 |
| 2．6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 实验部分 | 第46-51页 |
| 3．1 实验原料 | 第46-49页 |
| 3．1．1 均聚物PS的合成 | 第47页 |
| 3．1．1．1 单体的精制 | 第47页 |
| 3．1．1．2 均聚物PS的制备及精制 | 第47页 |
| 3．1．2 无规共聚物SAN的合成 | 第47-49页 |
| 3．1．2．1 单体的精制 | 第47页 |
| 3．1．2．2 无规共聚物SAN的制备及精制 | 第47-48页 |
| 3．1．2．3 共聚组成的控制 | 第48-49页 |
| 3．2 共聚物组成及聚合物分子量测定 | 第49-50页 |
| 3．3 聚合物共混物的制备 | 第50页 |
| 3．4 相差显微分析 | 第50页 |
| 3．5 聚合物粘度测试 | 第50页 |
| 3．6 DSC测试 | 第50-51页 |
| 第四章 静态下PS／SAN共混体系的相行为研究 | 第51-71页 |
| 4．1 PS／SAN体系相行为的研究 | 第52-59页 |
| 4．1．1 实验部分 | 第52页 |
| 4．1．2 PS／SAN共混体系升温过程中光散射图样的变化 | 第52-54页 |
| 4．1．3 相关距离a_c、介电均方涨落（?）~2 | 第54-57页 |
| 4．1．4 PS／SAN共混体系的相图 | 第57-59页 |
| 4．2 PS／SAN共混体系相容性的理论计算 | 第59-69页 |
| 4．2．1 状态方程理论（EOS理论） | 第59-65页 |
| 4．2．1．1 理论的简要表述 | 第59-62页 |
| 4．2．1．2 PS／SAN体系相行为的理论计算 | 第62-65页 |
| 4．2．2 Wolf关于A／A-B型共混物相行为的理论（W理论） | 第65-69页 |
| 4．2．2．1 W理论的表述 | 第65-67页 |
| 4．2．2．2 相图的绘制 | 第67-69页 |
| 4．3 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 PS／SAN共混体系相溶解过程 | 第71-92页 |
| 5．1 实验部分 | 第72页 |
| 5．2 温度跃变过程中的相溶解机理 | 第72-83页 |
| 5．2．1 对Porod定律的偏离 | 第76-77页 |
| 5．2．2 界面层 | 第77-80页 |
| 5．2．3 Fick模型 | 第80-82页 |
| 5．2．4 温度跃变时相溶解的机理小结 | 第82-83页 |
| 5．3 程序升温过程中的相溶解机理 | 第83-90页 |
| 5．3．1 低浊点PS／SAN体系 | 第84-87页 |
| 5．3．2 高浊点PS／SAN体系 | 第87-90页 |
| 5．4 程序升温和温度跃变过程相溶解机理的比较 | 第90页 |
| 5．5 本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 PS／SAN共混体系相容性的影响因素 | 第92-110页 |
| 6．1 PS／SAN体系各组分物性对相容性的影响 | 第92-105页 |
| 6．1．1 SAN共聚比对体系相容性的影响 | 第92-97页 |
| 6．1．2 分子量对体系相容性的影响 | 第97-102页 |
| 6．1．2．1 PS分子量对PS／SAN体系相容性的影响 | 第97-100页 |
| 6．1．2．2 SAN分子量对PS／SAN体系相容性的影响 | 第100-102页 |
| 6．1．3 体系共混比对相容性的影响 | 第102-105页 |
| 6．2 试样准备过程各因素对体系相容性的影响 | 第105-109页 |
| 6．2．1 实验部分 | 第106页 |
| 6．2．2 制样溶剂及制样方式对PS／SAN体系相容性的影响 | 第106-109页 |
| 6．3 本章小结 | 第109-110页 |
| 第七章 剪切场中PS／SAN共混体系的相行为研究 | 第110-135页 |
| 7．1 剪切场中PS／SAN体系相行为 | 第111-128页 |
| 7．1．1 实验部分 | 第111-112页 |
| 7．1．2 均相区域剪切，高温松弛过程 | 第112-114页 |
| 7．1．3 两相区域剪切，高温松弛过程 | 第114-115页 |
| 7．1．4 两相区域剪切，低温松弛过程 | 第115-117页 |
| 7．1．5 两相区域剪切，程序升温过程 | 第117-120页 |
| 7．1．6 影响剪切场中PS／SAN体系相行为的因素 | 第120-128页 |
| 7．1．6．1 共聚组分含量 | 第120-123页 |
| 7．1．6．2 温度 | 第123-127页 |
| 7．1．6．3 剪切速率的影响 | 第127-128页 |
| 7．2 剪切场中PS／SAN体系相行为的理论预测 | 第128-133页 |
| 7．2．1 改进的EOS理论 | 第128-130页 |
| 7．2．2 W理论 | 第130-133页 |
| 7．3 本章小结 | 第133-135页 |
| 第八章 总结论与展望 | 第135-139页 |
| 8．1 总结论 | 第135-138页 |
| 8．2 展望 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-149页 |
| 附录一 论文中各种符号的中英文含义 | 第149-152页 |
| 附录二 Wolf理论的MathCAD程序 | 第152-153页 |
| 附录三 EOS理论的MathCAD程序 | 第153-155页 |
| 作者简历 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157页 |
