| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·光集成技术概述 | 第14-15页 |
| ·光电集成光接收器件概述 | 第15-16页 |
| ·InP基PIN光探测器+HBT集成光接收机前端概述 | 第16-19页 |
| ·论文的结构安排 | 第19-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 分立器件的理论基础 | 第24-43页 |
| ·光探测器的基本理论 | 第24-29页 |
| ·光探测器的基本原理 | 第24-25页 |
| ·光探测器的性能参数 | 第25-26页 |
| ·光探测器高频特性的分析 | 第26-29页 |
| ·HBT的基本理论 | 第29-42页 |
| ·HBT的工作原理 | 第29-31页 |
| ·HBT的电流组成 | 第31-33页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第33-34页 |
| ·HBT优化设计方案 | 第34-38页 |
| ·在HBT器件中所运用的材料体系 | 第38-39页 |
| ·HBT材料的主要生长技术 | 第39-40页 |
| ·制各HBT器件常用工艺 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 分立器件的制备 | 第43-58页 |
| ·PIN光探测器的制备 | 第43-46页 |
| ·光探测器的外延结构 | 第43-44页 |
| ·光探测器的制备工艺 | 第44-45页 |
| ·光探测器的测试结果 | 第45-46页 |
| ·HBT的制备 | 第46-56页 |
| ·HBT的外延结构 | 第46页 |
| ·HBT的制各工艺 | 第46-51页 |
| ·HBT器件成品的测试结果 | 第51-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 分立器件的精确测量 | 第58-79页 |
| ·光探测器的光谱响应测量 | 第58-65页 |
| ·光探测器的光谱响应 | 第58-59页 |
| ·光探测器光谱响应的测量方法 | 第59-61页 |
| ·利用高斯光束的性质求解光探测器的绝对量子效率 | 第61-63页 |
| ·实验结果 | 第63-65页 |
| ·光外差法测量光探测器高频响应 | 第65-70页 |
| ·测试系统 | 第65-66页 |
| ·校准方案 | 第66-68页 |
| ·实验结果 | 第68-70页 |
| ·扫频法测量光探测器高频响应 | 第70-74页 |
| ·测试系统 | 第70页 |
| ·校准方案 | 第70-71页 |
| ·反射系数及探针散射参数的测量 | 第71-73页 |
| ·实验结果 | 第73-74页 |
| ·HBT的精确测试 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 分立器件的模型建立 | 第79-106页 |
| ·光探测器的小信号等效电路模型的建立 | 第79-85页 |
| ·光探测器的小信号等效电路模型的结构 | 第79-81页 |
| ·自适应遗传算法 | 第81-83页 |
| ·光探测器小信号等效电路模型参数提取过程 | 第83-85页 |
| ·HBT模型的提取 | 第85-104页 |
| ·HBT小信号等效电路模型的结构 | 第85-86页 |
| ·直接提取参数法 | 第86-96页 |
| ·采用遗传算法提取参数的方法 | 第96-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第六章 集成光接收机前端电路的分析 | 第106-126页 |
| ·前置放大器的设计要求 | 第106-107页 |
| ·HBT单管放大电路的三种组态 | 第107-109页 |
| ·单片集成光前端的电路设计 | 第109-115页 |
| ·前端电路的基本反馈形式 | 第109-110页 |
| ·单管共射放大电路 | 第110-111页 |
| ·单管共射加射极跟随器输出的放大电路 | 第111-112页 |
| ·带有射极跟随器输出的跨阻放大电路 | 第112-113页 |
| ·带有共基输入的跨阻放大电路 | 第113-115页 |
| ·噪声电流对灵敏度的影响 | 第115页 |
| ·集成光接收机前端电路的噪声分析 | 第115-117页 |
| ·用电感峰化技术提高器件的频率特性 | 第117-124页 |
| ·提高分立光探测器的频率响应 | 第117-121页 |
| ·提高光接收机前端电路的频率响应 | 第121-124页 |
| 参考文献 | 第124-126页 |
| 第七章 单片集成光接收机前端的制备 | 第126-138页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光前端的外延片结构 | 第126-127页 |
| ·共享型外延片结构 | 第127-128页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光前端的版图 | 第128-129页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光前端的制备与测试 | 第129-133页 |
| ·RCE-PD+HBT形式的单片集成光前端的初步尝试 | 第133-137页 |
| 参考文献 | 第137-138页 |
| 附录1 常用半导体材料参数 | 第138-139页 |
| 附录2 双端口12项误差模型及校准公式推导 | 第139-144页 |
| 1. 双端口12项误差模型 | 第139-141页 |
| 2. 误差项系数的确定 | 第141-142页 |
| 3. 误差校准 | 第142-144页 |
| 附录3 散射参数与其它参数之间的转化 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第147-148页 |