摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-13页 |
第一章 绪论 | 第13-34页 |
·碳薄膜的定义、分类 | 第13页 |
·(类)金刚石薄膜的结构和性能 | 第13-19页 |
·力学性能 | 第15页 |
·电学性能 | 第15-17页 |
·光学性能 | 第17页 |
·热学性能 | 第17页 |
·金刚石膜的声学性质 | 第17-18页 |
·金刚石膜的化学性质 | 第18-19页 |
·(类)金刚石薄膜的应用 | 第19-23页 |
·惯性约束聚变(ICF)实验研究的靶材料 | 第19-21页 |
·机械方面的应用 | 第21页 |
·光学材料和电子器件的保护层 | 第21-22页 |
·微电子领域 | 第22页 |
·医学方面 | 第22页 |
·航天航空领域 | 第22页 |
·其他方面应用 | 第22-23页 |
·(类)金刚石薄膜的制备方法 | 第23-31页 |
·微波等离子体化学气相沉积法(MP-CVD) | 第24-26页 |
·热丝等离子体化学气相沉积法(HF-CVD) | 第26-28页 |
·电子加速法 | 第28页 |
·喷射CVD法 | 第28-29页 |
·火焰法 | 第29页 |
·真空阴极电弧沉积法(VCAD) | 第29页 |
·磁控溅射法(Magnetron Sputtering,MS) | 第29-30页 |
·脉冲激光气相沉积法(PLD) | 第30-31页 |
·金刚石薄膜的国内外研究现状及存在的问题 | 第31-32页 |
·论文的选题和主要研究内容 | 第32-34页 |
第二章 热丝化学气相沉积法金刚石薄膜的制备与表征 | 第34-62页 |
·化学气相沉积法制备金刚石薄膜的基本原理 | 第34-35页 |
·金刚石薄膜的成膜机理 | 第35-40页 |
·动力学控制模型 | 第35页 |
·原子氢择优刻蚀模型 | 第35-36页 |
·表面反应模型 | 第36页 |
·准平衡模型 | 第36页 |
·金刚石低压气相生长的非平衡热力学耦合理论 | 第36-40页 |
·化学气相沉积金刚石过程中H原子的作用 | 第40-41页 |
·热丝化学气相沉积法(HF-CVD)制备金刚石薄膜 | 第41-45页 |
·基本原理 | 第41-44页 |
·基本装置 | 第44-45页 |
·实验条件 | 第45页 |
·金刚石薄膜的表征 | 第45-61页 |
·HF-CVD金刚石薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试分析 | 第45-47页 |
·HF-CVD金刚石薄膜的原子力显微镜(AFM)测试分析 | 第47-48页 |
·HF-CVD金刚石薄膜的拉曼光谱表征 | 第48-61页 |
·拉曼光谱(Raman)简介 | 第48-49页 |
·拉曼光谱(Raman)在CVD金刚石膜表征分析中的应用 | 第49-51页 |
·拉曼光谱和CVD金刚石薄膜内应力 | 第51-52页 |
·HF-CVD金刚石薄膜的拉曼光谱表征 | 第52-56页 |
·HF-CVD金刚石薄膜的表面增强拉曼光谱表征 | 第56-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第三章 金刚石薄膜的氧反应离子刻蚀加工技术 | 第62-86页 |
·金刚石薄膜的图形化技术 | 第62-64页 |
·选择性生长技术 | 第62-63页 |
·激光/聚焦离子束刻蚀技术 | 第63页 |
·反应离子刻蚀技术 | 第63-64页 |
·电子回旋共振微波等离子体反应离子刻蚀技术的基本原理 | 第64-71页 |
·微波等离子体技术的基本原理 | 第64-65页 |
·电子回旋共振微波等离子体技术的基本原理 | 第65-66页 |
·电子回旋共振微波等离子体放电的理论推导 | 第66-69页 |
·电子回旋共振(ECR)加热的基本原理 | 第69页 |
·模式转换器的作用 | 第69-71页 |
·等离子体在真空腔中的运动及密度分布 | 第71页 |
·电子回旋共振微波等离子体放电的应用 | 第71页 |
·电子回旋共振微波等离子体放电系统的组成 | 第71-73页 |
·微波系统 | 第71-72页 |
·电子回旋共振磁场 | 第72页 |
·等离子体室 | 第72页 |
·气路系统 | 第72页 |
·真空系统 | 第72-73页 |
·电子回旋共振微波等离子体(ECR-MP)的特点 | 第73页 |
·实验中所用ECR-MP系统简介 | 第73-75页 |
·反应离子刻蚀(RIE)技术的基本原理 | 第75-76页 |
·反应离子刻蚀的简单唯像模型 | 第76-78页 |
·简单的化学反应框架 | 第76-77页 |
·氧反应离子刻蚀的简单唯像模型 | 第77-78页 |
·ECR-MP反应离子刻蚀(RIE)法加工金刚石薄膜 | 第78-85页 |
·反应离子刻蚀加工金刚石薄膜的工艺过程 | 第78-79页 |
·主要工艺参数对刻蚀过程的影响和作用规律 | 第79-85页 |
·反应气体成份及比例对刻蚀速率的影响 | 第79-80页 |
·气压对刻蚀速率的影响 | 第80-82页 |
·不同工艺参数对金刚石薄膜刻蚀界面形貌的影响 | 第82-84页 |
·等离子体分布对刻蚀均匀性的影响 | 第84页 |
·侧壁陡直度分析 | 第84-85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
第四章 自支撑金刚石薄膜微结构的制备 | 第86-116页 |
·常用微细加工技术简介 | 第87-92页 |
·光刻工艺 | 第88-89页 |
·表面工艺 | 第89-90页 |
·体硅工艺 | 第90-92页 |
·硅的各向异性化学湿法腐蚀 | 第91-92页 |
·硅的各向同性化学湿法腐蚀 | 第92页 |
·工艺设计 | 第92-95页 |
·工艺条件 | 第95-96页 |
·自支撑金刚石微齿轮的分析表征 | 第96-103页 |
·扫描电子显微镜检测(SEM) | 第96-98页 |
·金刚石微齿轮白光干涉仪检测 | 第98-100页 |
·自支撑金刚石微齿轮 | 第100-102页 |
·自支撑金刚石微齿轮的手工组装 | 第102-103页 |
·金刚石微梳齿的检测分析 | 第103-115页 |
·扫描电子显微镜检测(SEM) | 第103-105页 |
·金刚石微梳齿的白光干涉仪检测 | 第105-108页 |
·金刚石"悬臂梁"式微梳齿的制各与检测 | 第108-113页 |
·金刚石"悬臂梁"式微梳齿的白光干涉仪检测 | 第113-115页 |
·本章小结 | 第115-116页 |
第五章 非晶碳薄膜和反应离子刻蚀技术在ICF靶制备中的应用 | 第116-135页 |
·铝埋点靶的制备 | 第116-123页 |
·铝埋点靶的结构 | 第116-117页 |
·铝埋点靶的制备工艺流程 | 第117-119页 |
·CH薄膜的制备 | 第118页 |
·Al薄膜的制备 | 第118页 |
·氧等离子体反应离子刻蚀(Oxygen-RIE)法加工CH薄膜 | 第118-119页 |
·铝埋点靶的检测和分析 | 第119-123页 |
·CH/Au/Ni多层平面靶零件制备技术研究 | 第123-129页 |
·准UV-LIGA技术简介 | 第123-124页 |
·CH/Au/Ni多层平面靶的制备工艺流程 | 第124-128页 |
·基片的预处理 | 第125页 |
·微电铸镍(Ni)支撑结构 | 第125-126页 |
·金膜的沉积与图形化 | 第126-127页 |
·碳氢薄膜的制备与反应离子刻蚀加工 | 第127-128页 |
·多层平面靶的剥离 | 第128页 |
·本节小结 | 第128-129页 |
·类金刚石空心微球的制备 | 第129-133页 |
·类金刚石微球的制备工艺流程 | 第130-131页 |
·类金刚石薄膜的拉曼光谱定性分析 | 第131-132页 |
·类金刚石微球的检测与分析 | 第132-133页 |
·本章小结 | 第133-135页 |
第六章 全文总结与展望 | 第135-140页 |
·全文总结 | 第135-137页 |
·论文的主要创新点 | 第137页 |
·对今后工作的展望 | 第137-140页 |
致谢 | 第140-141页 |
参考文献 | 第141-150页 |
附录 | 第150页 |