| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| §1.1 薄膜材料简介 | 第8页 |
| §1.2 氮化硅薄膜简述 | 第8-9页 |
| §1.3 研究氮化硅薄膜的意义 | 第9-10页 |
| §1.4 氮化硅薄膜材料的应用 | 第10-13页 |
| §1.4.1 氮化硅在功能材料中的应用 | 第11页 |
| §1.4.2 氮化硅薄膜在微电子领域中的主要用途 | 第11-12页 |
| §1.4.3 氮化硅薄膜材料在IC(集成电路)中的应用 | 第12-13页 |
| §1.4.4 氮化硅在量子器件的应用 | 第13页 |
| §1.4.5 氮化硅在光电子领域中的应用 | 第13页 |
| §1.5 本论文的研究思路和主要内容 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第二章 氮化硅结构、基本性质及主要制备方法 | 第17-29页 |
| §2.1 氮化硅的晶体结构 | 第17页 |
| §2.2 氮化硅的基本性质 | 第17-20页 |
| §2.2.1 物理性质 | 第17-19页 |
| §2.2.2 氮化硅的热学性质 | 第19页 |
| §2.2.3 氮化硅的机械性能 | 第19-20页 |
| §2.3 氮化硅薄膜的主要制备方法 | 第20-26页 |
| §2.3.1 化学反应法 | 第21-22页 |
| §2.3.2 化学气相沉积法(CVD) | 第22-25页 |
| §2.3.3 物理气相沉积((PVD)法 | 第25-26页 |
| §2.4 杂质对氮化硅膜形成的影响 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 氮化硅(SiNx)薄膜的磁控溅射制备及表征 | 第29-36页 |
| §3.1 磁控溅射的基本原理 | 第29-30页 |
| §3.2 磁控溅射镀膜技术 | 第30-33页 |
| §3.3 不同含氮量氮化硅薄膜的制备 | 第33-35页 |
| §3.3.1 实验装置 | 第33页 |
| §3.3.2 实验工艺与分析方法 | 第33-34页 |
| §3.3.3 SiNx薄膜的XRD分析 | 第34页 |
| §3.3.4 SiNx薄膜样品的FTIR谱及其分析 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第四章 SiNx薄膜的光吸收特性研究 | 第36-44页 |
| §4.1 引言 | 第36页 |
| §4.2 光吸收边的确定 | 第36-37页 |
| §4.3 紫外—可见光谱 | 第37-43页 |
| §4.3.1 SiNx薄膜的光吸收谱和透射谱 | 第37-40页 |
| §4.3.2 SiNx薄膜的光学带隙估算 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第五章 SiNx薄膜的光致发光特性研究 | 第44-53页 |
| §5.1 固体的发光 | 第44页 |
| §5.2 光致发光原理 | 第44-45页 |
| §5.3 SiNx薄膜的光致发光 | 第45-51页 |
| §5.3.1 引言 | 第45-46页 |
| §5.3.2 SiN_x薄膜光致发光的实验结果与讨论 | 第46-47页 |
| §5.3.3 SiNx薄膜的光致发光激发谱(PLE) | 第47-50页 |
| §5.3.4 氮化硅薄膜能隙态模型分析 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第六章 总结 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录:作者攻读硕士期间发表和已完成的论文目录 #Ⅳ | 第55页 |
