| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·Femtosecond laser加工材料的特点 | 第7-9页 |
| ·Femtosecond laser加工的研究进展 | 第9-12页 |
| ·Femtosecond laser对材料损伤理论的研究进展 | 第9-10页 |
| ·Femtosecond laser加工应用研究进展 | 第10-12页 |
| ·Si_3N_4晶体的晶格结构 | 第12-13页 |
| ·β-Si_3N_4型晶体生长界面结构 | 第12-13页 |
| ·本论文研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 Femtosecond laser与Si_3N_4晶体相互作用的机制 | 第14-20页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·Femtosecond laser与Si_3N_4晶体相互作用时的非线性效应 | 第14页 |
| ·激光脉冲对Si_3N_4晶体的损伤机理 | 第14-17页 |
| ·长脉冲激光对材料的损伤 | 第14-15页 |
| ·Femtosecond laser对Si_3N_4晶体的损伤机理 | 第15-17页 |
| ·等离子体以及临界电子数密度 | 第17-18页 |
| ·电子弛豫过程 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-20页 |
| 第三章 Femtosecond laser与Si_3N_4晶体相互作用的理论 | 第20-34页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·价带电子的散射几率 | 第20-25页 |
| ·导带电子数密度随时间和能量的变化 | 第25-28页 |
| ·对单电子态的修正 | 第28-31页 |
| ·电子弛豫时间的估算 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 飞秒脉冲与Si_3N_4晶体相互作用的理论简化 | 第34-40页 |
| ·导带电子数随时间和能量变化的偏微分方程 | 第34-36页 |
| ·对导带电子数随时间和能量变化的偏微分方程进行简化 | 第36-39页 |
| ·方程的有限元格式 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 总结与展望 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
