GaN基光导器件的光电导研究及紫外薄膜材料均匀性测试系统

摘要	第1-9页
Abstract	第9-11页
符号说明	第11-12页
第一章 绪论	第12-28页
·引言	第12-13页
·III族氮化物生长技术	第13-17页
·III族氮化物物理特性	第17-20页
·基于III族氮化物的紫外探测器	第20-24页
·研究内容及论文的安排	第24-25页
参考文献	第25-28页
第二章 非故意掺杂n型GaN的光电导研究	第28-46页
·半导体光电探测器的一般理论	第28-29页
·光电导效应	第29-34页
·GaN光导器件的制作	第34-35页
·n型GaN光导器件测试	第35-43页
·小结	第43-44页
参考文献	第44-46页
第三章 紫外薄膜材料均匀性测试系统	第46-59页
·测试系统的结构设计	第46-51页
·组成设备的控制	第51-56页
·测试系统的应用	第56-58页
·小结	第58页
参考文献	第58-59页
第四章 GaN基薄膜材料的均匀性测试与分析	第59-68页
·相同生长条件，不同Al组分的材料均匀性测试结果	第59-62页
·相同结构，不同生长条件的材料均匀性测试结果	第62-67页
·小结	第67页
参考文献	第67-68页
第五章 结论	第68-69页
致谢	第69-70页
攻读硕士期间发表的学术论文	第70-71页
学位论文评阅及答辩情况表	第71页