| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·多孔材料 | 第11-12页 |
| ·有序中孔二氧化硅 | 第12-14页 |
| ·有序中孔SiO_2的制备方法 | 第13页 |
| ·有序中孔SiO_2的合成机理 | 第13-14页 |
| ·有机—无机杂化的有序中孔二氧化硅 | 第14-21页 |
| ·嫁接法 | 第14-16页 |
| ·共水解法 | 第16-21页 |
| ·树枝状化合物及其用作制备有机杂化中孔二氧化硅的硅源 | 第21-23页 |
| ·树枝状化合物的合成 | 第21-22页 |
| ·树枝状化合物的功能化并作为制备中孔二氧化硅的硅源 | 第22-23页 |
| ·本研究工作的提出及主要研究意义 | 第23-25页 |
| 第二章 有序中孔二氧化硅的制备和表征 | 第25-34页 |
| ·实验原料和仪器 | 第25-26页 |
| ·实验原料 | 第25页 |
| ·实验仪器 | 第25-26页 |
| ·实验部分 | 第26-27页 |
| ·以CTAB为模板制备有序中孔二氧化硅 | 第26页 |
| ·以PEO-PPO-PEO嵌段共聚物为模板制备有序中孔二氧化硅 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-33页 |
| ·以CTAB为模板制备的有序中孔二氧化硅 | 第27-30页 |
| ·以PEO-PPO-PEO为模板制备的有序中孔二氧化硅 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 端有机基团"单联"杂化有序中孔二氧化硅的制备和表征 | 第34-46页 |
| ·实验原料和仪器 | 第34页 |
| ·端有机基团"单联"杂化有序中孔二氧化硅的制备 | 第34-35页 |
| ·以CTAB为模板制备端有机基团"单联"杂化中孔二氧化硅 | 第34页 |
| ·以PEO-PPO-PEO嵌段共聚物为模板制备端有机基团"单联"杂化中孔二氧化硅 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-45页 |
| ·端甲基"单联"杂化中孔二氧化硅 | 第35-39页 |
| ·端乙烯基"单联"杂化中孔二氧化硅 | 第39-42页 |
| ·端γ-(2,3-环氧丙氧)丙基"单联"杂化中孔二氧化硅 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 树枝状化合物为硅源制备有机杂化中孔二氧化硅的初步研究 | 第46-71页 |
| ·实验原料和仪器 | 第46-47页 |
| ·以二苯基为核的树枝状化合物为硅源制备有机杂化中孔二氧化硅 | 第47-62页 |
| ·以二苯基为核的端烯丙基碳硅烷型树枝状化合物的合成 | 第47-51页 |
| ·以二苯基为核的外围乙氧基功能化的碳硅烷型树枝状化合物的合成 | 第51-54页 |
| ·有机-无机杂化中孔二氧化硅的制备 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-62页 |
| ·以苯基为核的树枝状化合物为硅源制备有机杂化中孔二氧化硅 | 第62-65页 |
| ·树枝状化合物G_0(Ph)的合成 | 第62页 |
| ·树枝状化合物G_0(Ph)-OE_t的合成 | 第62-63页 |
| ·有机-无机杂化中孔二氧化硅的制备 | 第63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-65页 |
| ·N_2吸附等温线 | 第64-65页 |
| ·HTEM谱图 | 第65页 |
| ·以甲基为核的树枝状化合物为硅源制备有机杂化中孔二氧化硅 | 第65-68页 |
| ·树枝状化合物G_0(Me)的合成 | 第65-66页 |
| ·树枝状化合物G_0(Me)-OE_t的合成 | 第66页 |
| ·有机-无机杂化中孔二氧化硅的制备 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-68页 |
| ·N_2吸附等温线 | 第67页 |
| ·HTEM图谱 | 第67-68页 |
| ·硅源种类对中孔材料的影响 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第80页 |
