| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-20页 |
| ·高温超导带材及其应用 | 第9-10页 |
| ·高温超导带材的发展 | 第10-12页 |
| ·第一代铋系高温超导带材 | 第10-11页 |
| ·第二代钇系高温超导带材 | 第11-12页 |
| ·第二代钇系高温超导带材的制备 | 第12-16页 |
| ·金属基带的选择 | 第13页 |
| ·过渡层的选择与制备 | 第13-15页 |
| ·过渡层材料的选择 | 第13-15页 |
| ·过渡层薄膜的制备 | 第15页 |
| ·超导层的制备 | 第15-16页 |
| ·过渡层研究现状 | 第16-18页 |
| ·论文的选题依据和研究方案 | 第18-20页 |
| 第二章 实验方法和原理 | 第20-27页 |
| ·直流磁控溅射原理 | 第20-21页 |
| ·实验装置 | 第21-23页 |
| ·实验采用的靶材 | 第22页 |
| ·实验采用的基片 | 第22页 |
| ·实验采用的气体 | 第22-23页 |
| ·薄膜的分析表征方法 | 第23-27页 |
| ·薄膜微观结构分析 | 第24-25页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第25-27页 |
| ·原子力显微镜原理 | 第25页 |
| ·扫描电子显微镜原理 | 第25-27页 |
| 第三章 CeO_2种子层薄膜生长工艺研究 | 第27-49页 |
| ·IPAT 技术制备CeO_2 种子层薄膜 | 第27-36页 |
| ·IPAT 技术工艺 | 第27-28页 |
| ·退火温度 | 第28-32页 |
| ·退火时间 | 第32-34页 |
| ·水分压 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36页 |
| ·反应溅射法制备CeO_2 种子层薄膜 | 第36-48页 |
| ·反应溅射法工艺 | 第37页 |
| ·沉积温度 | 第37-41页 |
| ·水分压 | 第41-43页 |
| ·溅射功率 | 第43-45页 |
| ·工艺一致性和可重复性 | 第45-48页 |
| ·小结 | 第48页 |
| ·两种工艺方法比较 | 第48-49页 |
| 第四章 YSZ 阻挡层薄膜生长工艺研究 | 第49-62页 |
| ·反应溅射特性 | 第49-52页 |
| ·种子层薄膜的影响 | 第52-55页 |
| ·沉积温度 | 第55-57页 |
| ·水分压 | 第57-59页 |
| ·阻挡层制备对种子层薄膜的影响 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 YBCO/CeO_2/YSZ/CeO_2/NiW 研究 | 第62-66页 |
| ·CeO_2 模板层薄膜的制备 | 第62-63页 |
| ·CeO_2/YSZ/CeO_2/NiW 成分深度分析 | 第63-64页 |
| ·YBCO/CeO_2/YSZ/CeO_2/NiW 结构分析 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 读硕期间取得的成果 | 第73-74页 |
