| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·地面太阳电池进展 | 第9-16页 |
| ·第一代太阳电池 | 第9-11页 |
| ·第二代太阳电池 | 第11-16页 |
| ·第三代太阳电池 | 第16页 |
| ·空间太阳电池进展 | 第16-21页 |
| ·各种应用于空间的太阳电池 | 第17-21页 |
| ·晶体Si 太阳电池 | 第18-19页 |
| ·非晶 Si 太阳电池 | 第19页 |
| ·GaAs/Ge，InP 太阳电池 | 第19-20页 |
| ·CdTe 太阳电池 | 第20-21页 |
| ·本文目的 | 第21-22页 |
| 第二章 CdTe 薄膜太阳电池与材料的特性研究 | 第22-41页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·CdTe 太阳电池的制备工艺 | 第23-36页 |
| ·窗口层CdS 的制备 | 第23-24页 |
| ·CdTe 薄膜的制备 | 第24-28页 |
| ·近空升华系统简述 | 第24-25页 |
| ·近空间升华原理 | 第25-27页 |
| ·背接触层ZnTe:Cu 的制备工艺 | 第27-28页 |
| ·CdS/CdTe 化合物半导体太阳电池器件的研究 | 第28-36页 |
| ·光I-V 特性测试 | 第28-29页 |
| ·半导体性能测试 | 第29-31页 |
| ·半导体器件的DLCP 特性研究 | 第31-36页 |
| ·DLCP 测试原理 | 第32-34页 |
| ·薄膜太阳电池的DLCP 测试 | 第34-36页 |
| ·半导体薄膜的电子辐照研究 | 第36-41页 |
| ·能量为1MeV 的电子辐照对 51102:F 透明导电薄膜的影响 | 第36-39页 |
| ·能量为1MeV 的电子辐照对 ZnTe:Cu 背接触层的影响 | 第39-41页 |
| 第三章 CdTe 薄膜太阳电池的电子辐照研究 | 第41-59页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·CdTe 薄膜太阳电池的电子辐照研究 | 第41-59页 |
| ·能量为1MeV 的电子辐照对CdTe 薄膜太阳电池的影响 | 第41-54页 |
| ·辐照前后的光I-V 特性研究 | 第41-46页 |
| ·辐照前后的暗I-V 特性研究 | 第46-51页 |
| ·辐照前后的 C-V 特性研究 | 第51-54页 |
| ·能量为0.5MeV 的电子辐照对CdTe 薄膜太阳电池的影响.. | 第54-59页 |
| ·辐照前后的C-V 特性研究 | 第54-57页 |
| ·辐照前后的带隙状态密度比较 | 第57-59页 |
| 第四章 总结 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 发表的论文及参与的科研项目 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
