| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·中国能源和光伏产业现状 | 第13-16页 |
| ·太阳辐射和太阳光谱 | 第16-17页 |
| ·几种重要材料的太阳电池 | 第17-20页 |
| ·半导体中的光吸收特性 | 第20-23页 |
| ·太阳电池的理想转换效率及工作机理 | 第23-26页 |
| ·太阳电池的I-V 特性 | 第26-27页 |
| ·理想单结太阳电池的效率极限及其影响机制 | 第27-28页 |
| ·航天器及其需求的太阳电池 | 第28-30页 |
| ·半导体材料中的基本辐射效应 | 第30-31页 |
| ·本论文的目的和主要研究内容 | 第31-34页 |
| 第2章 InP/InP和InP/GaP的外延生长及其太阳电池的制备 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·MBE 技术 | 第34-37页 |
| ·LP-MBE 方法 | 第37-39页 |
| ·反射高能电子衍射（RHEED）及其表征 | 第39-41页 |
| ·InP 和GaP 的结构特性 | 第41-45页 |
| ·InP 的结构特性 | 第41-43页 |
| ·GaP 的结构特性和光学特性 | 第43-45页 |
| ·研究在GaP 衬底上外延InP 的意义 | 第45-46页 |
| ·外延InP 及其太阳电池样品的制备条件 | 第46-48页 |
| ·本实验所用MBE 系统 | 第46-47页 |
| ·LP-MBE 方法对InP 表面形态的改善 | 第47-48页 |
| ·ECV（电化学电容-电压）测量 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 InP 及其太阳电池的抗辐射特性研究 | 第50-66页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·InP的能带结构和光学吸收 | 第51-52页 |
| ·InP的抗辐射特性研究 | 第52-60页 |
| ·InP等Ⅲ-Ⅴ族材料的辐射损伤与Si材料的区别 | 第52-55页 |
| ·InP辐射缺陷的热退火 | 第55-59页 |
| ·InP辐射缺陷的注入增强退火 | 第59-60页 |
| ·InP太阳电池的辅照效应 | 第60-64页 |
| ·InP太阳电池的辐射退火现象 | 第60-62页 |
| ·InP太阳电池的室温退火现象 | 第62-63页 |
| ·InP太阳电池的少数载流子注入退火现象 | 第63-64页 |
| ·InP太阳电池工作时的强抗辐射现象 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第4章 InP 漂移机制太阳电池的理论设计与结构优化 | 第66-82页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·扩散机制的太阳电池 | 第66-67页 |
| ·漂移机制的太阳电池 | 第67-68页 |
| ·ADEPT 设计软件 | 第68-69页 |
| ·漂移机制太阳电池的优化结构与设计思路 | 第69-74页 |
| ·p-i-n 结构 | 第69-71页 |
| ·单梯度掺杂漂移机制结构 | 第71-72页 |
| ·双梯度掺杂漂移机制结构 | 第72-74页 |
| ·设计器件的模拟结果 | 第74-79页 |
| ·设计器件的伏-安特性 | 第75-77页 |
| ·设计器件的其他特性 | 第77-79页 |
| ·InP/GaP 太阳电池器件结构设计 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第5章 InP 漂移机制太阳电池及其特性分析 | 第82-96页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·载流子分布的ECV 测试及分析 | 第83-84页 |
| ·I-V 特性测试及分析 | 第84-85页 |
| ·光谱响应测试及分析 | 第85-86页 |
| ·抗辐射性能测试及分析 | 第86-88页 |
| ·与InP 非漂移机制太阳电池的比照 | 第88-93页 |
| ·本章小结 | 第93-96页 |
| 第6章 InP/GaP 漂移机制太阳电池 | 第96-106页 |
| ·引言 | 第96-97页 |
| ·InP/GaP 失配界面的电特性研究 | 第97-101页 |
| ·InP/GaP 漂移机制太阳电池的光谱响应 | 第101-102页 |
| ·InP/GaP 漂移机制太阳电池的抗辐射性能测试 | 第102-103页 |
| ·InP/GaP 漂移机制太阳电池的伏安特性 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 总结 | 第106-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 附录 | 第120-132页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134页 |
