| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·磁性传感器概述 | 第9-11页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·磁性传感器的分类 | 第9-11页 |
| ·各向异性磁阻(AMR)传感器的基本原理 | 第11-12页 |
| ·磁阻传感器国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 磁阻薄膜的制备与表征方法 | 第14-24页 |
| ·薄膜的制备 | 第14-17页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·磁控溅射法 | 第14-17页 |
| ·薄膜的测量与表征方法 | 第17-24页 |
| ·膜厚的测量 | 第17-18页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第18-20页 |
| ·原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM) | 第20-21页 |
| ·振动样品磁强计(Vibrating Sample Magnetometer) | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第22-24页 |
| 第三章 各向异性磁阻(AMR)薄膜的制备工艺 | 第24-44页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·样品的制备与磁阻测试方法 | 第25-28页 |
| ·Ta 缓冲层对 NiFe 薄膜 AMR 的影响 | 第28-33页 |
| ·溅射功率对Ta 沉积速率的影响 | 第29-31页 |
| ·缓冲层Ta 的溅射功率对NiFe 薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| ·缓冲层厚度对NiFe 薄膜性能的影响 | 第33-36页 |
| ·薄膜均匀性的改善 | 第36-42页 |
| ·引言 | 第36-39页 |
| ·实验 | 第39-41页 |
| ·大面积均一薄膜的获得 | 第41-42页 |
| ·本章小节 | 第42-44页 |
| 第四章 图形化单元的研究 | 第44-55页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·图形化单元的设计与制备 | 第45-53页 |
| ·图形化单元的设计 | 第45-46页 |
| ·图形化单元的制备 | 第46-51页 |
| ·实验结果分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 基于AMR 效应开关芯片原理与制备 | 第55-60页 |
| ·引言 | 第55-57页 |
| ·磁性开关芯片的制备 | 第57-58页 |
| ·样品测试结果 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
