一种场致发射阴极工艺的研究
| 第1章 绪论 | 第1-22页 |
| ·场致发射的概念 | 第7-8页 |
| ·场致发射阴极的基本构成 | 第8-12页 |
| ·场致发射阴极材料 | 第8-9页 |
| ·场致发射阴极结构 | 第9-12页 |
| ·场致发射阴极的发展概况 | 第12-16页 |
| ·场致发射的发展特点 | 第12-14页 |
| ·场致发射的国内研究状况 | 第14-15页 |
| ·场致发射的国外研究状况 | 第15-16页 |
| ·场致发射的优越性和应用前景 | 第16-20页 |
| ·场致发射的优越性 | 第16-18页 |
| ·场致发射的应用前景 | 第18-20页 |
| ·本文研究的目的和主要工作 | 第20-22页 |
| 第2章 半导体场致发射理论的相关理论 | 第22-36页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·半导体的功函数 | 第23-27页 |
| ·半导体的功函的概念 | 第23-24页 |
| ·半导体的功函数与温度的关系 | 第24-25页 |
| ·外电场对逸出功的影响——肖特基效应 | 第25-27页 |
| ·外电场的渗透和半导体表面态对半导体功函数的影响 | 第27页 |
| ·半导体锥尖场致发射电流方程的建立过程 | 第27-34页 |
| ·半导体中的电子分布函数 | 第27-28页 |
| ·半导体的能量分布函数(供给函数)N(W) | 第28-30页 |
| ·半导体的透射系数 D(W) | 第30-32页 |
| ·半导体的场致发射电流方程 | 第32-34页 |
| ·场致发射阴极锥尖的电场强度 | 第34-36页 |
| 第3章 激光制备场致微锥工艺部分 | 第36-41页 |
| ·激光打孔技术 | 第36-37页 |
| ·激光打孔的特点 | 第36页 |
| ·激光微加工装置 | 第36-37页 |
| ·场致阴极制备工艺 | 第37-38页 |
| ·微锥阵列的显微结构 | 第38-41页 |
| 第4章 聚合物微锥阵列的制备 | 第41-50页 |
| ·聚合物微锥尺寸的确定 | 第41-42页 |
| ·硅晶片的表面处理 | 第42-43页 |
| ·初清洗 | 第42页 |
| ·机械加工 | 第42页 |
| ·再次清洗 | 第42页 |
| ·化学腐蚀 | 第42-43页 |
| ·镀膜工艺 | 第43-45页 |
| ·本征SiO_2薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·SiCl_4/O_2流量比对薄膜沉积的影响 | 第44-45页 |
| ·沉积温度对沉积薄膜的影响 | 第45页 |
| ·试验工艺流程的确定 | 第45-50页 |
| ·实验工艺流程 | 第45-47页 |
| ·聚合物微锥阵列的制备 | 第47-50页 |
| 第5章 结论 | 第50-51页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
