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利用太赫兹电磁辐射测量GaAs的共振吸收频率ωTO

提要第1-8页
第一章 前言第8-13页
   ·介绍第8-10页
   ·发展进程第10-13页
第二章 研究基础第13-32页
   ·半导体材料第13-21页
     ·能带和禁带宽度第13-14页
     ·载流子的散射机制第14-16页
     ·复合过程第16-17页
     ·介电驰豫与自由驰豫平衡过程第17-18页
     ·半导体中的基本过程第18-21页
   ·飞秒激光第21-28页
     ·Q调制第22-25页
     ·锁模第25-27页
     ·飞秒激光器第27-28页
   ·傅立叶光学第28-32页
     ·傅立叶积分变换第28-29页
     ·傅立叶变换的性质第29-30页
     ·离散傅立叶变换第30-32页
第三章 实验光路第32-36页
   ·实验平台第32-33页
   ·延时关系第33-34页
   ·透射式时域光谱第34-36页
第四章 太赫兹电磁辐射波形的计算第36-47页
   ·物理模型第36-38页
   ·光学整流产生太赫兹电磁辐射的波形第38-43页
   ·运动电荷的辐射场第43-46页
   ·讨论第46-47页
第五章 复介电常数和光学声子频率第47-53页
   ·复介电常数第47-50页
   ·样品内的多次反射第50-51页
   ·复介电常数的误差分析第51页
   ·洛仑兹色散理论第51-53页
第六章 总结与展望第53-54页
   ·工作总结第53页
   ·展望第53-54页
参考文献第54-59页
中文摘要第59-60页
英文摘要第60-62页
致谢第62页

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